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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

[求助] 缺陷处ELF的作法 已有1人参与

我算的体系是含有一个N空位的Si3N4超胞
1.我的作法是在做dos计算时，顺便把ELF给算了，设置IELF=.True; INCAR如下
SYSTERM=Silicon Nitride
ISTART=0
ICHARG=11
PREC=high  
ENCUT=500      
NELM=100        
EDIFF=1E-05
#IBRION=2        !determines how the ions are updated and moved
#ISIF=3         
#EDIFFG=         !default:EDIFF*10;break condition for the ionic relaxation loop;
ISMEAR=0       !default:1-Femi-smearing
SIGMA=0.05      !default:0.2
LREAL=Auto
LELF=.TRUE      !determines whether to creat ELFCAR
LORBIT=11   
在vesta下得到图如附件所示，这个图显然是不对的，哪里出现了错误，请高手指教！！！
2.如果我要在体系中引入一个外加电子，考虑超胞中那个地方对这个“外加”电子的局域作用较强，我该怎么做？若果直接导入ELFCAR的话，看到的局域作用应该是包含对原子本身电子的局域作用，我怎么把对“外加电子”的局域作用给拎出来单独考虑
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1楼 2012-04-27 14:14:54
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huangll99

木虫 (职业作家)
★ ★
fzx2008: 金币+2, 谢谢指教 2012-04-27 16:12:26
不知道是不是这错了     LELF=.TRUE      后面少个点
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2楼2012-04-27 15:40:56
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iamikaruk

木虫 (著名写手)
★
fzx2008: 金币+1, 谢谢回帖！ 2012-05-09 16:18:53
你这个外加电子的能量很小的话，跟材料本身的电子是没法区分的啊
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[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]
3楼2012-04-27 16:25:55
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by iamikaruk at 2012-04-27 16:25:55:
你这个外加电子的能量很小的话，跟材料本身的电子是没法区分的啊

两个问题：
1.vasp中可不可以设置电子的能量
2.如果我不关心这个电子是怎么进入含缺陷的Si3N4中的，即忽略进入过程；着重于电子在其中是怎么存在的，好像有的虫子说过这个电子是会局域在缺陷周围的。我现在考虑的是N缺陷处的什么对这种局域起了主要作用，即是Si的dangling bond,还是Si=Si共价键（当然前提是证明N空位处确实有悬挂键，共价键）
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4楼2012-04-27 16:51:25
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iamikaruk

木虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by xiaoluoj at 2012-04-27 16:51:25:
两个问题：
1.vasp中可不可以设置电子的能量
2.如果我不关心这个电子是怎么进入含缺陷的Si3N4中的，即忽略进入过程；着重于电子在其中是怎么存在的，好像有的虫子说过这个电子是会局域在缺陷周围的。我现在考虑 ...

1. 不清楚
2. 这个我觉得现在没有计算结果的前提下很难讨论哪种机制
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[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]
5楼2012-04-27 16:55:50
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huangll99

木虫 (职业作家)
★ ★
WDD880227: 金币+2, 感谢交流提示 2012-04-28 08:54:22
引用回帖:
4楼: Originally posted by xiaoluoj at 2012-04-27 16:51:25:
两个问题：
1.vasp中可不可以设置电子的能量
2.如果我不关心这个电子是怎么进入含缺陷的Si3N4中的，即忽略进入过程；着重于电子在其中是怎么存在的，好像有的虫子说过这个电子是会局域在缺陷周围的。我现在考虑 ...

我认为是悬挂键起作用。
你可以参考教材Atomic and Electronic Structure of Solids_Efthimios Kaxiras中p320页figure9.3关于单质Si中点缺陷的例子
对于你的Si3N4，我做一个猜测。去掉一个N，与它配位的三个Si上共出现三个悬挂键。原子弛豫之后，最有可能的结果是其中两个Si的悬挂键形成共价键。但是还剩下一个悬挂键。这时你加一个电子进去，它很可能局域在具有悬挂键的Si原子上，因为由这个悬挂键引起的缺陷能级的能量要比导带和另外两个Si的悬挂键形成的反键态能量低。
这个只是定性分析，实际情况可能不同，希望你算成功之后拿来和大家分享
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6楼2012-04-27 19:59:26
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by huangll99 at 2012-04-27 19:59:26:
我认为是悬挂键起作用。
你可以参考教材Atomic and Electronic Structure of Solids_Efthimios Kaxiras中p320页figure9.3关于单质Si中点缺陷的例子
对于你的Si3N4，我做一个猜测。去掉一个N，与它配位的三个Si ...

实际上，有paper认为是共价键的作用，
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=4424835
这个图形很直接，也很漂亮。我一直纠结这个图形是怎么做出来的~~~
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7楼2012-04-27 21:03:01
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huangll99

木虫 (职业作家)
引用回帖:
7楼: Originally posted by xiaoluoj at 2012-04-27 21:03:01:
实际上，有paper认为是共价键的作用，
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=4424835
这个图形很直接，也很漂亮。我一直纠结这个图形是怎么做出来的~~~

把文献传上来
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8楼2012-04-27 21:24:21
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)
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9楼2012-04-27 22:01:35
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huangll99

木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
WDD880227: 金币+2, 非常感谢您的详细解答 2012-04-28 08:54:54
内容已删除
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10楼2012-04-27 22:28:50
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