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最新计算能带的方法 得出的带隙和实验非常的吻合。
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hanyanli0475
铜虫
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[交流]
最新计算能带的方法 得出的带隙和实验非常的吻合。
各位高手大家好,这是,最新计算能带的方法基于LDA基础上的,我读了一下,应该是在LDA基础上,近似考虑半占据态,就是在价电子轨道上,近似存在1/2激发态,和空穴有关,我没读太懂,请各位高手都说分享一下自己的看法吧,呵呵!
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1楼
2011-11-11 10:24:45
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sars518
木虫
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★
hanyanli0475(金币
+1
):谢谢参与
这个方法 是2009的了。
有没有注意到,作者算bangap的时候,用的是实验的晶格参数。。。
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5楼
2011-11-11 21:44:39
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souledge
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hanyanli0475(金币
+1
):谢谢参与
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-11-11 16:51:21
个人理解,如果是从理论上有开创性的进展的工作,应该会在Phys Rev Lett而不是PRB~如果是有拟合成分或者靠某种拟合达到目的的,并且是原创型的,就会在Phys Rev B~
当然,个人理解有限,不过从论文和不少报告来看,现在公认性比较强的方法还是GW和+U
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3楼
2011-11-11 11:16:18
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goldenfisher
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小木虫(金币
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):给个红包,谢谢回帖
mazuju028(金币+1): 谢谢交流 2011-11-13 21:40:31
这篇文章的进一步结果貌似发表在prl上了。其物理思想就是把电子的自能考虑进来了,这也是GW的处理核心。但是这个工作在LDA的基础上就可以做到这点,因此极大减小了计算量。个人认为,类似的工作还是很有应用前途的。我就急需这样的理论结果。
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hanyanli0475
9楼
2011-11-12 23:11:05
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hanyanli0475
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引用回帖:
9楼
:
Originally posted by
goldenfisher
at 2011-11-12 23:11:05:
这篇文章的进一步结果貌似发表在prl上了。其物理思想就是把电子的自能考虑进来了,这也是GW的处理核心。但是这个工作在LDA的基础上就可以做到这点,因此极大减小了计算量。个人认为,类似的工作还是很有应用前途的 ...
我现在也急需要这样理论结果,我发了一个帖子,是关于In5d贗势的,您可以看一下,这个In5d贗势,和这个方法有什么联系,它考虑了In5d的1/4占据,请您多指教。多谢了,呵呵!
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3814016&pid=3843721&page=1#pid3843721
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10楼
2011-11-13 09:02:25
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