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hanyanli0475

铜虫 (小有名气)

[交流] 最新计算能带的方法 得出的带隙和实验非常的吻合。

各位高手大家好，这是，最新计算能带的方法基于LDA基础上的，我读了一下，应该是在LDA基础上，近似考虑半占据态，就是在价电子轨道上，近似存在1/2激发态，和空穴有关，我没读太懂，请各位高手都说分享一下自己的看法吧，呵呵！
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1楼 2011-11-11 10:24:45
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souledge

专家顾问 (著名写手)
★ ★ ★
hanyanli0475(金币+1):谢谢参与
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-11-11 16:51:21
个人理解，如果是从理论上有开创性的进展的工作，应该会在Phys Rev Lett而不是PRB～如果是有拟合成分或者靠某种拟合达到目的的，并且是原创型的，就会在Phys Rev B～
当然，个人理解有限，不过从论文和不少报告来看，现在公认性比较强的方法还是GW和+U
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3楼2011-11-11 11:16:18
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sars518

木虫 (著名写手)
★
hanyanli0475(金币+1):谢谢参与
这个方法 是2009的了。
有没有注意到，作者算bangap的时候，用的是实验的晶格参数。。。
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5楼2011-11-11 21:44:39
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goldenfisher

金虫 (著名写手)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
mazuju028(金币+1): 谢谢交流 2011-11-13 21:40:31
这篇文章的进一步结果貌似发表在prl上了。其物理思想就是把电子的自能考虑进来了，这也是GW的处理核心。但是这个工作在LDA的基础上就可以做到这点，因此极大减小了计算量。个人认为，类似的工作还是很有应用前途的。我就急需这样的理论结果。
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hanyanli0475
9楼2011-11-12 23:11:05
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hanyanli0475

铜虫 (小有名气)
送鲜花一朵
引用回帖:
9楼: Originally posted by goldenfisher at 2011-11-12 23:11:05:
这篇文章的进一步结果貌似发表在prl上了。其物理思想就是把电子的自能考虑进来了，这也是GW的处理核心。但是这个工作在LDA的基础上就可以做到这点，因此极大减小了计算量。个人认为，类似的工作还是很有应用前途的 ...

我现在也急需要这样理论结果，我发了一个帖子，是关于In5d贗势的，您可以看一下，这个In5d贗势，和这个方法有什么联系，它考虑了In5d的1/4占据，请您多指教。多谢了，呵呵！
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3814016&pid=3843721&page=1#pid3843721
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10楼2011-11-13 09:02:25
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