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在磁电子学中，特别是涉及到隧道磁阻方面的很多文献说：在过渡族金属中，传导电子是自旋极化的,它分裂成自旋向上和自旋向下两个不同能量的子带。 这里就有问题了，劈裂的是3d电子，可是3d电子等效质量非常大，是局域的，一般不做传导电子啊？传导电子一般是4s电子，而且是简并的，或者说有劈裂但是是可以忽略的。到底是3d还是4s隧穿？（虽然文献都说隧穿的是3d电子，但是还是搞不懂，谁能帮我解答啊？） |
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| 焦正宽《磁电子学》P3 在铁磁金属中，由于在费密面处同时存在s 电子和态密度很大的d 电子, （由于d电子的有效质量太大或费米速度太小，电流主要源于s电子的贡献，即s电子为主要的载流子）在输运过程中, 传导电子要经受比s 电子散射强烈得多的s-d 散射, 因而这里传导电子的平均自由程要小得多。由于自旋向上的3d 子带(多数自旋) 与自旋向下的3d 子带(少数自旋) 在费密面处的态密度不等, 散射的大小对不同自旋的传导电子将不一样，平均自由程也不一样。 1993年IBM公司研究部的Gurney等人测量了铁、钴、坡莫合金的自旋向上和向下电子的平均自由程，结果是 钴: λ↑=5.5 nm, λ↓=0.6 nm; 坡莫合金: λ↑=4.6 nm, λ↓=0.6 nm。 |
5楼2011-09-27 22:10:21
