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gui27606

铁虫 (初入文坛)

[求助] 请高手指点,快帮小弟解决难题,急!

在磁电子学中,特别是涉及到隧道磁阻方面的很多文献说:在过渡族金属中,传导电子是自旋极化的,它分裂成自旋向上和自旋向下两个不同能量的子带。
这里就有问题了,劈裂的是3d电子,可是3d电子等效质量非常大,是局域的,一般不做传导电子啊?传导电子一般是4s电子,而且是简并的,或者说有劈裂但是是可以忽略的。到底是3d还是4s隧穿?(虽然文献都说隧穿的是3d电子,但是还是搞不懂,谁能帮我解答啊?)
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wbcui

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

gui27606(金币+2): 最后查出来时4S电子隧穿,但是分还是给你,我金币太少了,只能这么多了 2011-09-23 23:23:07
是3d电子隧穿,4s电子自选朝上和朝下的数目相等,3d电子填充不满才会产生静磁距。3d电子也不全都是局域的,朝上和朝下电子在费米面附近的态密度不同才会产生极化电流,这个是巡游电子理论的大概意思。
2楼2011-09-20 08:28:13
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li2008jie

铁杆木虫 (著名写手)

逍遥孤鹤

【答案】应助回帖

赠送两个金币,太小气了。
阿甘与徐三多,执着+执着+执着=成功!
3楼2011-09-23 08:02:42
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wbcui

至尊木虫 (知名作家)

不客气,呵呵,你们搞的那个高级,我还是没搞明白啊
4楼2011-09-24 16:12:11
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luckydog2006

银虫 (小有名气)

焦正宽《磁电子学》P3  在铁磁金属中,由于在费密面处同时存在s 电子和态密度很大的d 电子, (由于d电子的有效质量太大或费米速度太小,电流主要源于s电子的贡献,即s电子为主要的载流子)在输运过程中, 传导电子要经受比s 电子散射强烈得多的s-d 散射, 因而这里传导电子的平均自由程要小得多。由于自旋向上的3d 子带(多数自旋) 与自旋向下的3d 子带(少数自旋) 在费密面处的态密度不等, 散射的大小对不同自旋的传导电子将不一样,平均自由程也不一样。 1993年IBM公司研究部的Gurney等人测量了铁、钴、坡莫合金的自旋向上和向下电子的平均自由程,结果是 钴:  λ↑=5.5 nm,  λ↓=0.6 nm;  坡莫合金:  λ↑=4.6 nm,  λ↓=0.6 nm。
5楼2011-09-27 22:10:21
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luckydog2006

银虫 (小有名气)

有些内容也来源于《固体电子学研究与进展》,23(4),2003,377
我的理解是:铁磁金属中的传导电子主要是S电子,在自旋相干散射的GMR(或自旋相干隧穿的TMR)效应中,传导电子在铁磁金属中受到的散射(或隧穿几率)跟其自旋态和铁磁金属多数自旋子带平行还是反平行有关,当平行时散射较弱,则平均自由程长,相应的电阻率低;反之则散射较强,平均自由程短,相应的电阻率高。
6楼2011-09-27 22:25:45
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gui27606

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
5楼: Originally posted by luckydog2006 at 2011-09-27 22:10:21:
焦正宽《磁电子学》P3  在铁磁金属中,由于在费密面处同时存在s 电子和态密度很大的d 电子, (由于d电子的有效质量太大或费米速度太小,电流主要源于s电子的贡献,即s电子为主要的载流子)在输运过程中, 传导电子 ...

你的这个适合于GMR中。但是TMR中,电子运输几率和它在费米面的辟裂能态成正比的。如过没有辟列,就没有自旋极化,就没有自旋极化疏运。
7楼2011-10-18 21:08:51
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