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可以用负胶做掩模刻蚀氮化硅吗？
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目的：在硅片上刻蚀结构。 方法：先在硅片上镀一层氮化硅，用作硅刻蚀的硬掩模。在氮化硅上刻蚀结构时，使用光刻胶做掩模。我选用了SU-8光刻胶，但是涂胶的时候SU-8在片子上很难铺展开，而且很容易聚集成一块。请问有人遇到类似的情况吗？刻蚀氮化硅能用负胶做掩模吗？谢谢大家了~ |
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金光闪闪2010(金币-5): 广告 2011-09-14 08:43:44
金光闪闪2010(金币-5): 广告 2011-09-14 08:43:44
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SU8甩不开，是因为你选的型号胶太厚了。要知道不同型号的SU8厚度差上百倍~~ 建议选一种几微米的光刻胶，做实验其实选正胶更方便的，比如AZ1500（3~4微米）。曝光后用CHF3气体RIE刻蚀将图形传递到氮化硅膜层上，一定要保证完全刻穿。氮化硅厚度应该是只有几百纳米到一两个微米吧？然后换SF6+O2混合气体刻硅至你想要的深度。 我实验室有磁控溅射、电子束蒸镀、LPCVD，可以镀Cr、Al2O3、Si、SiO2、Si3N4等。 联系电话：15108299816赵工 邮箱：zyy44138172@126.com |
5楼2011-09-13 23:07:51
xishuang123
铁虫 (初入文坛)
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2楼2011-08-29 20:38:47
xiangnan121
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3楼2011-09-12 19:26:28
lulinsmann
木虫 (著名写手)
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4楼2011-09-12 20:45:18
