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zljs

新虫 (初入文坛)

[求助] 可以用负胶做掩模刻蚀氮化硅吗?

目的:在硅片上刻蚀结构。
方法:先在硅片上镀一层氮化硅,用作硅刻蚀的硬掩模。在氮化硅上刻蚀结构时,使用光刻胶做掩模。我选用了SU-8光刻胶,但是涂胶的时候SU-8在片子上很难铺展开,而且很容易聚集成一块。请问有人遇到类似的情况吗?刻蚀氮化硅能用负胶做掩模吗?谢谢大家了~
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xiangnan121

至尊木虫 (正式写手)


金光闪闪2010(金币+1): Thank you for your information 2011-09-14 08:03:43
氮化硅刻蚀用什么?可以试下改变表面亲疏水性,适当提高转速。
另外,你用的是SU-8的哪个系列的?
3楼2011-09-12 19:26:28
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xishuang123

铁虫 (初入文坛)

不懂。。。围观学习
努力,拼搏,奋斗
2楼2011-08-29 20:38:47
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lulinsmann

木虫 (著名写手)

三无小小鸟


金光闪闪2010(金币+1): Thank you for your information 2011-09-14 08:03:53
可以,我们现在用的就是负胶(ma-N 2403),电子束曝光后用反应离子刻蚀获得氮化硅的结构
江湖背影
4楼2011-09-12 20:45:18
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1fox

新虫 (初入文坛)

★ ★ ★ ★ ★
金光闪闪2010(金币-5): 广告 2011-09-14 08:43:44
SU8甩不开,是因为你选的型号胶太厚了。要知道不同型号的SU8厚度差上百倍~~  建议选一种几微米的光刻胶,做实验其实选正胶更方便的,比如AZ1500(3~4微米)。曝光后用CHF3气体RIE刻蚀将图形传递到氮化硅膜层上,一定要保证完全刻穿。氮化硅厚度应该是只有几百纳米到一两个微米吧?然后换SF6+O2混合气体刻硅至你想要的深度。
我实验室有磁控溅射、电子束蒸镀、LPCVD,可以镀Cr、Al2O3、Si、SiO2、Si3N4等。
联系电话:15108299816赵工  邮箱:zyy44138172@126.com
5楼2011-09-13 23:07:51
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