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掺杂方面的问题 大家帮忙看一下
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‘‘n-type doping is facilitated by materials whose conduction band minima ~CBM! are far from the vacuum level, i.e., materials with large bulk-intrinsic electron affini- ties x. Conversely, n-type doping tends to be compensated in materials with small bulk-intrinsic electron affinities. 一片关于掺杂规则的文献，我的理解是CBM与n-type pinning energy越接近，越促进N型掺杂，但这与真空能级有什么关系？ 还有 bulk-intrinsic electron affini- ties 指的是什么？ |
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buct2010
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【答案】应助回帖
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youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。已计入专家考核存档。 2011-08-20 12:18:09
韩D小希(金币+5): 谢谢 2011-08-20 14:18:42
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。已计入专家考核存档。 2011-08-20 12:18:09
韩D小希(金币+5): 谢谢 2011-08-20 14:18:42
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你说的对，文中的意思是bulk-intrinsic electron affinities 越大，n型掺杂约容易。但这和n型半导体的bulk-intrinsic electron affinities 大，p型的小不矛盾，你的n-型半导体的电子浓度高，就是因为n型掺杂浓度高引起的呀。 还有CBM 越高，越接近真空能级，而真空能级是自由电子的能级，就是原子中电子摆脱原子的束缚达到的能级。n型掺杂的原里就是在CBM 底部引入电子能级。很难有原子的电子能级接近真空，自然CBM高的n型掺杂困难。既然bulk-intrinsic electron affinities 越大，n型掺杂约容易，那么它的CBM 必然低了。你还是买本半导体物理看看吧。 |
4楼2011-08-20 09:23:18
buct2010
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2楼2011-08-19 08:35:19
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This rule reflects the difficulty in n-type doping of ZnTe and AlN （Ref. 7） or diamond (x=0), the ease of n-type doping InAs, ZnO, and CdS （large x）. 伤面子这部分是接着1楼的那段话的， 根据文中的意思，应该是bulk-intrinsic electron affinities 越大，n型掺杂约容易，bulk-intrinsic electron affinities越小，n型掺杂越困难 而您的意思应该是n型半导体的bulk-intrinsic electron affinities 大，p型的小，这样是不是有点矛盾呢？ 还有不明白的一点是为什么CBM越低，bulk-intrinsic electron affinities 越大呢，本征电子亲和性与CBM什么关系呢？ |
3楼2011-08-19 10:55:50
