| 查看: 850 | 回复: 3 | ||
[求助]
掺杂方面的问题 大家帮忙看一下
|
|
‘‘n-type doping is facilitated by materials whose conduction band minima ~CBM! are far from the vacuum level, i.e., materials with large bulk-intrinsic electron affini- ties x. Conversely, n-type doping tends to be compensated in materials with small bulk-intrinsic electron affinities. 一片关于掺杂规则的文献，我的理解是CBM与n-type pinning energy越接近，越促进N型掺杂，但这与真空能级有什么关系？ 还有 bulk-intrinsic electron affini- ties 指的是什么？ |
回复此楼» 猜你喜欢
085600材料与化工329分求调剂
已经有20人回复
-
085600材料与化工349分求调剂
已经有15人回复
-
求调剂
已经有13人回复
-
一志愿华南理工大学331分材料求调剂
已经有11人回复
-
271求调剂
已经有40人回复
-
求调剂学校
已经有3人回复
-
332求调剂
已经有15人回复
-
297求调剂
已经有25人回复
-
本科西工大 324求调剂
已经有5人回复
-
297工科调剂?
已经有7人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 大家帮忙看一下，这样的回复是什么意思呢？
已经有16人回复
- 【急】请大家帮忙看一下这个offer是否合乎要求，新手散光所有金币求助~~
已经有12人回复
- 求助荧光谱图分析方面的问题
已经有11人回复
- 大家帮忙看一下，关于模拟文献的
已经有6人回复
- 关于建模结构优化的一些问题
已经有11人回复
- 请大家帮忙看一下这张红外谱出了什么问题
已经有14人回复
- 审稿意见回来了，大家帮忙看一下。。
已经有9人回复
- 【求助】大家帮忙看一下这个LC/MS/MS的问题
已经有9人回复
- 【分享】大家帮忙看一下这个Ni的峰归属于NiO还是Ni2O3
已经有7人回复
- 【请教】做磁性材料的麻烦帮忙看下这个图
已经有42人回复
buct2010
金虫 (正式写手)
- 1ST强帖: 10
- 应助: 27 (小学生)
- 金币: 2328.6
- 散金: 306
- 红花: 11
- 帖子: 351
- 在线: 231.2小时
- 虫号: 1129027
- 注册: 2010-10-22
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
- 管辖: 第一性原理
2楼2011-08-19 08:35:19
|
This rule reflects the difficulty in n-type doping of ZnTe and AlN （Ref. 7） or diamond (x=0), the ease of n-type doping InAs, ZnO, and CdS （large x）. 伤面子这部分是接着1楼的那段话的， 根据文中的意思，应该是bulk-intrinsic electron affinities 越大，n型掺杂约容易，bulk-intrinsic electron affinities越小，n型掺杂越困难 而您的意思应该是n型半导体的bulk-intrinsic electron affinities 大，p型的小，这样是不是有点矛盾呢？ 还有不明白的一点是为什么CBM越低，bulk-intrinsic electron affinities 越大呢，本征电子亲和性与CBM什么关系呢？ |
3楼2011-08-19 10:55:50
buct2010
金虫 (正式写手)
- 1ST强帖: 10
- 应助: 27 (小学生)
- 金币: 2328.6
- 散金: 306
- 红花: 11
- 帖子: 351
- 在线: 231.2小时
- 虫号: 1129027
- 注册: 2010-10-22
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
- 管辖: 第一性原理
【答案】应助回帖
★ ★
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。已计入专家考核存档。 2011-08-20 12:18:09
韩D小希(金币+5): 谢谢 2011-08-20 14:18:42
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。已计入专家考核存档。 2011-08-20 12:18:09
韩D小希(金币+5): 谢谢 2011-08-20 14:18:42
|
你说的对，文中的意思是bulk-intrinsic electron affinities 越大，n型掺杂约容易。但这和n型半导体的bulk-intrinsic electron affinities 大，p型的小不矛盾，你的n-型半导体的电子浓度高，就是因为n型掺杂浓度高引起的呀。 还有CBM 越高，越接近真空能级，而真空能级是自由电子的能级，就是原子中电子摆脱原子的束缚达到的能级。n型掺杂的原里就是在CBM 底部引入电子能级。很难有原子的电子能级接近真空，自然CBM高的n型掺杂困难。既然bulk-intrinsic electron affinities 越大，n型掺杂约容易，那么它的CBM 必然低了。你还是买本半导体物理看看吧。 |
4楼2011-08-20 09:23:18
