应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

CyRhmU.jpeg
小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 其他 » 掺杂方面的问题 大家帮忙看一下
41/1返回列表
查看: 681  |  回复: 3
只看楼主@他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

韩D小希

铁虫 (正式写手)

[求助] 掺杂方面的问题 大家帮忙看一下

‘‘n-type doping is facilitated by materials whose
conduction band minima ~CBM! are far from the vacuum
level, i.e., materials with large bulk-intrinsic electron affini-
ties x. Conversely, n-type doping tends to be compensated in
materials with small bulk-intrinsic electron affinities.

一片关于掺杂规则的文献，我的理解是CBM与n-type pinning energy越接近，越促进N型掺杂，但这与真空能级有什么关系？  还有 bulk-intrinsic electron affini-
ties 指的是什么？
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
1楼2011-08-18 20:49:49
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

buct2010

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
uuv2010(金币+2): 多谢提示 2011-08-19 11:49:06
引用回帖:
1楼: Originally posted by 韩D小希 at 2011-08-18 20:49:49:
‘‘n-type doping is facilitated by materials whose
conduction band minima ~CBM! are far from the vacuum
level, i.e., materials with large bulk-intrinsic electron affini-
ties x. Conversel ...

真空能级在CBM 的上方较远处，CBM离真空能级越远，则 CBM 越低。bulk-intrinsic electron affinities 是指掺杂后体材料的本征电子亲和性，n型半导体的载流子是电子，自然有较大的电子亲和性。而P型半导体（载流子是空穴）电子亲和性小，它与n型半导体组合就会有电子和空穴的补偿作用，这就是p-n结形成的原因。
赞一下(1人) 回复此楼
2楼2011-08-19 08:35:19
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

韩D小希

铁虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by buct2010 at 2011-08-19 08:35:19:
真空能级在CBM 的上方较远处，CBM离真空能级越远，则 CBM 越低。bulk-intrinsic electron affinities 是指掺杂后体材料的本征电子亲和性，n型半导体的载流子是电子，自然有较大的电子亲和性。而P型半导体（ ...

This rule reflects the difficulty in n-type doping of ZnTe and AlN
（Ref. 7） or diamond (x=0), the ease of n-type doping InAs, ZnO, and CdS （large x）.
伤面子这部分是接着1楼的那段话的，
根据文中的意思，应该是bulk-intrinsic electron affinities 越大，n型掺杂约容易，bulk-intrinsic electron affinities越小，n型掺杂越困难
而您的意思应该是n型半导体的bulk-intrinsic electron affinities 大，p型的小，这样是不是有点矛盾呢？
还有不明白的一点是为什么CBM越低，bulk-intrinsic electron affinities 越大呢，本征电子亲和性与CBM什么关系呢？
赞一下 回复此楼
3楼2011-08-19 10:55:50
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

buct2010

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。已计入专家考核存档。 2011-08-20 12:18:09
韩D小希(金币+5): 谢谢 2011-08-20 14:18:42
引用回帖:
3楼: Originally posted by 韩D小希 at 2011-08-19 10:55:50:
This rule reflects the difficulty in n-type doping of ZnTe and AlN
（Ref. 7） or diamond (x=0), the ease of n-type doping InAs, ZnO, and CdS （large x）.
伤面子这部分是接着1楼的那段话 ...

你说的对，文中的意思是bulk-intrinsic electron affinities 越大，n型掺杂约容易。但这和n型半导体的bulk-intrinsic electron affinities 大，p型的小不矛盾，你的n-型半导体的电子浓度高，就是因为n型掺杂浓度高引起的呀。
还有CBM 越高，越接近真空能级，而真空能级是自由电子的能级，就是原子中电子摆脱原子的束缚达到的能级。n型掺杂的原里就是在CBM 底部引入电子能级。很难有原子的电子能级接近真空，自然CBM高的n型掺杂困难。既然bulk-intrinsic electron affinities 越大，n型掺杂约容易，那么它的CBM 必然低了。你还是买本半导体物理看看吧。
赞一下(1人) 回复此楼
4楼2011-08-20 09:23:18
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 韩D小希 的主题更新
41/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭