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slab模型中心层DOS
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nkleof
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[交流]
slab模型中心层DOS
为计算一种材料的表面性质,采用了slab模型加真空层利用vasp进行计算。其中slab厚度为17个原子层,真空层采用了12埃。计算结果中发现中心层附近的几何结构已经接近块体材料,基本没有离子位移。但是中心层附近的DOS则没有能够实现和块体材料一致,原因是整个slab模型中各层的价带顶精确相等,因而中心层的DOS和块体材料的相比,形状基本相同,但是价带顶位置有所移动。
请问出现这种slab中心层的DOS与块体材料结果不同的原因是什么?应该不会是slab的厚度不够,因为也测试过25个原子层厚的slab,计算出来的结果依然是整个slab中各层的价带顶精确相等,而且和块体材料的价带顶位置相比有所移动。
请大家多给意见交流。
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2011-07-24 19:45:42
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Originally posted by
贺仪
at 2011-07-24 21:57:41:
价带顶位置有所移动 这个移动有多大?多少eV?
0.3~0.5 eV左右,但是关键的是这个现象造成了slab的厚度会影响价带顶的位置。
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3楼
2011-07-24 22:13:24
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Originally posted by
贺仪
at 2011-07-25 10:09:52:
真空层和slab的厚度肯定都会影响的,只是看你计算什么,分析的是什么。如果你不分析dos或者能带的具体位置,平移了0.3ev也还是可以
但是一般来说,slab的厚度认为取得足够的话,不是认为中心层应该会体现体材料的DOS了吗?
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9楼
2011-07-25 19:13:09
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