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slz0811

木虫 (小有名气)

[求助] 小分子CH4吸附在金属Co100表面的参数问题

刚开始用vasp计算,先前进行了一些初步的计算,可是在算吸附能时,却得出负值。与以往castep计算结果,文献值(正的)不符。

我算的是小分子CH4在金属Co100表面的吸附解离。


INCAR:

SYSTEM = name
ENCUT  = 400
PREC   = Medium
GGA    = 91
VOSKWN = 1        
ISYM = 0            
ISPIN = 2           
ISTART = 0         
ICHARG = 2         
ISMEAR = 2    (金属)         
SIGMA  = 0.1
IBRION = 2      
ISIF   = 2         
NSW    = 1000     
POTIM  = 0.05      
NELMIN = 5            
NELM   = 200      
LWAVE = .FALSE.     
LCHARG = .FALSE.  

KPOINTS:

surface
0
M
5 5 2   (castep计算的fine精度)      
0 0 0

atom or molcular
1
Rec
0 0 0 1


POSCAR:

CH4
1.0
      10.000000000000000       0.000000000000000       0.000000000000000
       0.000000000000000      10.000000000000000       0.000000000000000
       0.000000000000000       0.000000000000000      10.000000000000000
4 1                  
D                        
-0.4604751244820571  -0.5955083450831910   0.3572567372930910
-0.6097261178601441  -0.5191680930578321   0.4382028422581180
-0.4459877478070221  -0.4307015616245711   0.4426085768177100
-0.4708332035946150  -0.5855807188904930   0.5428642882608110
-0.4967554857621820  -0.5327396496507220   0.4452330771902660



我的问题是:

(1)在优化小分子时,参数是否应和优化金属时一样?
比如ISMEAR = 2    (金属)    ISMEAR = 0 (小分子)是否这样?
(2)k点的选取,我以前用的是castep,一般fine精度就可以满足。是否可以这样选取。
(3)计算结果如图:CH4吸附为物理吸附,吸附能应很小,20kJ/mol左右。




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hakuna

木虫 (知名作家)

★ ★ ★
youzhizhe(金币+3): 谢谢交流。 2011-06-02 22:14:49
引用回帖:
Originally posted by slz0811 at 2011-05-29 11:16:53:
刚开始用vasp计算,先前进行了一些初步的计算,可是在算吸附能时,却得出负值。与以往castep计算结果,文献值(正的)不符。

我算的是小分子CH4在金属Co100表面的吸附解离。
...

1.吸附能的正负取决于你的定义方式,如果你定义的吸附能取正值表示发生吸附,那么负值只是表示不能稳定吸附而已,也是正常的.....
2.CH4吸附应该是非常弱的,吸附能很小,不同软件采用的泛函和赝势不尽相同,计算结果会有差异的,尤其是在这种正负临界点处.....
3.计算CH4时,应该把C原子固定下来,其余原子放开,优化....
4.你的111面上,吸附能达到2.xxeV,对于CH4来讲,不大可能....
8楼2011-06-02 06:06:12
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普通回帖

slz0811

木虫 (小有名气)

我是MS和vasp相结合来构建的模型。
逢山开路,遇水搭桥。
2楼2011-05-29 11:18:31
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kmw.8668

金虫 (正式写手)

归期守望者

【答案】应助回帖


franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-05-29 21:22:36
slz0811(金币+3): 这个我也差不多看过,就是理解不太透彻。 2011-05-29 21:31:29
进行任何的静态计算或态密度计算,且K点数目(从IBZKPT文件中读取)大于4时,取ISMEAR=-5;当由于原胞较大而K点数目较少(小于4个)时,取ISMEAR=0,并设置一个合适的SIGMA值。另外对半导体或绝缘体的计算(不论是静态还是结构优化),取ISMEAR=-5;当体系呈现金属性时,取ISMEAR=1和2,以及设置一个合适的SIGMA值,这是因为取ISMEAR=-5这种方法没有对电子的部分占据进行变分计算,所以对金属的力的计算误差较大。在进行能带结构计算时,ISMEAR 和SIGMA用默认值(ISMEAR=1。SIGMA=0.2)就好。
我一般优化计算时,ISMEAR采用的都是默认值,我觉的不同的ISMEAR值算出来的结果差距不是很大,你可以比较一下的
臾兮,臾兮,何时是归期!
3楼2011-05-29 20:54:01
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kmw.8668

金虫 (正式写手)

归期守望者

【答案】应助回帖


franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-05-29 21:22:59
slz0811(金币+2): 和我一样。 2011-05-29 21:38:49
k点选取我一般都是从MS上calculation--electronic--more--k-point下选取的。。。。
臾兮,臾兮,何时是归期!
4楼2011-05-29 20:59:17
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slz0811

木虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by kmw.8668 at 2011-05-29 20:54:01:
进行任何的静态计算或态密度计算,且K点数目(从IBZKPT文件中读取)大于4时,取ISMEAR=-5;当由于原胞较大而K点数目较少(小于4个)时,取ISMEAR=0,并设置一个合适的SIGMA值。另外对半导体或绝缘体的计算(不 ...

可以这么理解不:
算小分子时ISMEAR=0,

金属计算时ISMEAR=2

静态计算或态密度计算 K点数目大于4,半导体或绝缘体的计算,ISMEAR=-5.
逢山开路,遇水搭桥。
5楼2011-05-29 21:43:10
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kmw.8668

金虫 (正式写手)

归期守望者

【答案】应助回帖


franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-05-30 14:03:12
slz0811(金币+3): 谢谢!还有这K点数目怎么理解,跟castep比较。比如4x4x1, 2x2x2 ? 2011-05-30 15:33:03
引用回帖:
Originally posted by slz0811 at 2011-05-29 21:43:10:
可以这么理解不:
算小分子时ISMEAR=0,

金属计算时ISMEAR=2

静态计算或态密度计算 K点数目大于4,半导体或绝缘体的计算,ISMEAR=-5.

这是我查一些资料汇总出来的,你可以作为参考。。。。。
臾兮,臾兮,何时是归期!
6楼2011-05-30 08:33:32
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kmw.8668

金虫 (正式写手)

归期守望者

【答案】应助回帖

★ ★
slz0811(金币+4): 谢谢,我懂了。 2011-05-30 22:26:35
franch(金币+2): 谢谢回帖交流 2011-05-31 09:29:10
用vasp计算结束以后,会产生一个IBZKT文件,里面有K点的个数
臾兮,臾兮,何时是归期!
7楼2011-05-30 20:31:57
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slz0811

木虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by hakuna at 2011-06-02 06:06:12:
1.吸附能的正负取决于你的定义方式,如果你定义的吸附能取正值表示发生吸附,那么负值只是表示不能稳定吸附而已,也是正常的.....
2.CH4吸附应该是非常弱的,吸附能很小,不同软件采用的泛函和赝势不尽相同, ...

第3个不懂,CH4与金属表面多远距离固定?有个图更直观。
其他都理解。谢谢。
逢山开路,遇水搭桥。
9楼2011-06-02 08:37:55
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hakuna

木虫 (知名作家)

引用回帖:
Originally posted by slz0811 at 2011-06-02 08:37:55:
第3个不懂,CH4与金属表面多远距离固定?有个图更直观。
其他都理解。谢谢。

这个是指CH4分子的计算
10楼2011-06-02 10:03:24
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