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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 小分子CH4吸附在金属Co100表面的参数问题
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slz0811

木虫 (小有名气)

[求助] 小分子CH4吸附在金属Co100表面的参数问题

刚开始用vasp计算，先前进行了一些初步的计算，可是在算吸附能时，却得出负值。与以往castep计算结果，文献值（正的）不符。

我算的是小分子CH4在金属Co100表面的吸附解离。

INCAR:

SYSTEM = name
ENCUT  = 400
PREC   = Medium
GGA    = 91
VOSKWN = 1        
ISYM = 0            
ISPIN = 2           
ISTART = 0         
ICHARG = 2         
ISMEAR = 2    (金属)         
SIGMA  = 0.1
IBRION = 2      
ISIF   = 2         
NSW    = 1000     
POTIM  = 0.05      
NELMIN = 5            
NELM   = 200      
LWAVE = .FALSE.     
LCHARG = .FALSE.  

KPOINTS：

surface
0
M
5 5 2   （castep计算的fine精度）      
0 0 0

atom or molcular
1
Rec
0 0 0 1


POSCAR：

CH4
1.0
      10.000000000000000       0.000000000000000       0.000000000000000
       0.000000000000000      10.000000000000000       0.000000000000000
       0.000000000000000       0.000000000000000      10.000000000000000
4 1                  
D                        
-0.4604751244820571  -0.5955083450831910   0.3572567372930910
-0.6097261178601441  -0.5191680930578321   0.4382028422581180
-0.4459877478070221  -0.4307015616245711   0.4426085768177100
-0.4708332035946150  -0.5855807188904930   0.5428642882608110
-0.4967554857621820  -0.5327396496507220   0.4452330771902660



我的问题是:

（1）在优化小分子时，参数是否应和优化金属时一样？
比如ISMEAR = 2    (金属)    ISMEAR = 0 （小分子）是否这样？
（2）k点的选取，我以前用的是castep，一般fine精度就可以满足。是否可以这样选取。
（3）计算结果如图：CH4吸附为物理吸附，吸附能应很小，20kJ/mol左右。



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1楼2011-05-29 11:16:53
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hakuna

木虫 (知名作家)
★ ★ ★
youzhizhe(金币+3): 谢谢交流。 2011-06-02 22:14:49
引用回帖:
Originally posted by slz0811 at 2011-05-29 11:16:53:
刚开始用vasp计算，先前进行了一些初步的计算，可是在算吸附能时，却得出负值。与以往castep计算结果，文献值（正的）不符。

我算的是小分子CH4在金属Co100表面的吸附解离。 ...

1.吸附能的正负取决于你的定义方式，如果你定义的吸附能取正值表示发生吸附，那么负值只是表示不能稳定吸附而已，也是正常的.....
2.CH4吸附应该是非常弱的，吸附能很小，不同软件采用的泛函和赝势不尽相同，计算结果会有差异的，尤其是在这种正负临界点处.....
3.计算CH4时，应该把C原子固定下来，其余原子放开，优化....
4.你的111面上，吸附能达到2.xxeV，对于CH4来讲，不大可能....
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8楼2011-06-02 06:06:12
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普通回帖

slz0811

木虫 (小有名气)
我是MS和vasp相结合来构建的模型。
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逢山开路，遇水搭桥。
2楼2011-05-29 11:18:31
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kmw.8668

金虫 (正式写手)

归期守望者

【答案】应助回帖

★
franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-05-29 21:22:36
slz0811(金币+3): 这个我也差不多看过，就是理解不太透彻。 2011-05-29 21:31:29
进行任何的静态计算或态密度计算，且K点数目（从IBZKPT文件中读取）大于4时，取ISMEAR＝－5；当由于原胞较大而K点数目较少（小于4个）时，取ISMEAR＝0，并设置一个合适的SIGMA值。另外对半导体或绝缘体的计算（不论是静态还是结构优化），取ISMEAR＝－5;当体系呈现金属性时，取ISMEAR＝1和2，以及设置一个合适的SIGMA值，这是因为取ISMEAR＝-5这种方法没有对电子的部分占据进行变分计算，所以对金属的力的计算误差较大。在进行能带结构计算时，ISMEAR 和SIGMA用默认值（ISMEAR＝1。SIGMA＝0.2）就好。
我一般优化计算时，ISMEAR采用的都是默认值，我觉的不同的ISMEAR值算出来的结果差距不是很大，你可以比较一下的
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臾兮，臾兮，何时是归期！
3楼2011-05-29 20:54:01
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kmw.8668

金虫 (正式写手)

归期守望者

【答案】应助回帖

★
franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-05-29 21:22:59
slz0811(金币+2): 和我一样。 2011-05-29 21:38:49
k点选取我一般都是从MS上calculation－－electronic－－more－－k－point下选取的。。。。
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臾兮，臾兮，何时是归期！
4楼2011-05-29 20:59:17
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slz0811

木虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by kmw.8668 at 2011-05-29 20:54:01:
进行任何的静态计算或态密度计算，且K点数目（从IBZKPT文件中读取）大于4时，取ISMEAR＝－5；当由于原胞较大而K点数目较少（小于4个）时，取ISMEAR＝0，并设置一个合适的SIGMA值。另外对半导体或绝缘体的计算（不 ...

可以这么理解不：
算小分子时ISMEAR＝0，

金属计算时ISMEAR＝2

静态计算或态密度计算 K点数目大于4，半导体或绝缘体的计算，ISMEAR＝-5.
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逢山开路，遇水搭桥。
5楼2011-05-29 21:43:10
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kmw.8668

金虫 (正式写手)

归期守望者

【答案】应助回帖

★
franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-05-30 14:03:12
slz0811(金币+3): 谢谢！还有这K点数目怎么理解，跟castep比较。比如4x4x1, 2x2x2 ? 2011-05-30 15:33:03
引用回帖:
Originally posted by slz0811 at 2011-05-29 21:43:10:
可以这么理解不：
算小分子时ISMEAR＝0，

金属计算时ISMEAR＝2

静态计算或态密度计算 K点数目大于4，半导体或绝缘体的计算，ISMEAR＝-5.

这是我查一些资料汇总出来的，你可以作为参考。。。。。
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臾兮，臾兮，何时是归期！
6楼2011-05-30 08:33:32
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kmw.8668

金虫 (正式写手)

归期守望者

【答案】应助回帖

★ ★
slz0811(金币+4): 谢谢，我懂了。 2011-05-30 22:26:35
franch(金币+2): 谢谢回帖交流 2011-05-31 09:29:10
用vasp计算结束以后，会产生一个IBZKT文件，里面有K点的个数
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臾兮，臾兮，何时是归期！
7楼2011-05-30 20:31:57
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slz0811

木虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by hakuna at 2011-06-02 06:06:12:
1.吸附能的正负取决于你的定义方式，如果你定义的吸附能取正值表示发生吸附，那么负值只是表示不能稳定吸附而已，也是正常的.....
2.CH4吸附应该是非常弱的，吸附能很小，不同软件采用的泛函和赝势不尽相同， ...

第3个不懂，CH4与金属表面多远距离固定？有个图更直观。
其他都理解。谢谢。
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逢山开路，遇水搭桥。
9楼2011-06-02 08:37:55
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hakuna

木虫 (知名作家)
引用回帖:
Originally posted by slz0811 at 2011-06-02 08:37:55:
第3个不懂，CH4与金属表面多远距离固定？有个图更直观。
其他都理解。谢谢。

这个是指CH4分子的计算
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10楼2011-06-02 10:03:24
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