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slz0811木虫 (小有名气)
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小分子CH4吸附在金属Co100表面的参数问题
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刚开始用vasp计算，先前进行了一些初步的计算，可是在算吸附能时，却得出负值。与以往castep计算结果，文献值（正的）不符。 我算的是小分子CH4在金属Co100表面的吸附解离。 INCAR: SYSTEM = name ENCUT = 400 PREC = Medium GGA = 91 VOSKWN = 1 ISYM = 0 ISPIN = 2 ISTART = 0 ICHARG = 2 ISMEAR = 2 (金属) SIGMA = 0.1 IBRION = 2 ISIF = 2 NSW = 1000 POTIM = 0.05 NELMIN = 5 NELM = 200 LWAVE = .FALSE. LCHARG = .FALSE. KPOINTS： surface 0 M 5 5 2 （castep计算的fine精度） 0 0 0 atom or molcular 1 Rec 0 0 0 1 POSCAR： CH4 1.0 10.000000000000000 0.000000000000000 0.000000000000000 0.000000000000000 10.000000000000000 0.000000000000000 0.000000000000000 0.000000000000000 10.000000000000000 4 1 D -0.4604751244820571 -0.5955083450831910 0.3572567372930910 -0.6097261178601441 -0.5191680930578321 0.4382028422581180 -0.4459877478070221 -0.4307015616245711 0.4426085768177100 -0.4708332035946150 -0.5855807188904930 0.5428642882608110 -0.4967554857621820 -0.5327396496507220 0.4452330771902660 我的问题是: （1）在优化小分子时，参数是否应和优化金属时一样？ 比如ISMEAR = 2 (金属) ISMEAR = 0 （小分子）是否这样？ （2）k点的选取，我以前用的是castep，一般fine精度就可以满足。是否可以这样选取。 （3）计算结果如图：CH4吸附为物理吸附，吸附能应很小，20kJ/mol左右。  大家看看是哪儿出问题了？ |
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franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-05-29 21:22:36
slz0811(金币+3): 这个我也差不多看过，就是理解不太透彻。 2011-05-29 21:31:29
franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-05-29 21:22:36
slz0811(金币+3): 这个我也差不多看过，就是理解不太透彻。 2011-05-29 21:31:29
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进行任何的静态计算或态密度计算，且K点数目（从IBZKPT文件中读取）大于4时，取ISMEAR＝－5；当由于原胞较大而K点数目较少（小于4个）时，取ISMEAR＝0，并设置一个合适的SIGMA值。另外对半导体或绝缘体的计算（不论是静态还是结构优化），取ISMEAR＝－5;当体系呈现金属性时，取ISMEAR＝1和2，以及设置一个合适的SIGMA值，这是因为取ISMEAR＝-5这种方法没有对电子的部分占据进行变分计算，所以对金属的力的计算误差较大。在进行能带结构计算时，ISMEAR 和SIGMA用默认值（ISMEAR＝1。SIGMA＝0.2）就好。 我一般优化计算时，ISMEAR采用的都是默认值，我觉的不同的ISMEAR值算出来的结果差距不是很大，你可以比较一下的 |
3楼2011-05-29 20:54:01
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