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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 【求助】如何计算半导体带边？
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楼1970-01-01 08:00:00
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953623702

金虫 (小有名气)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
WDD880227: 金币+1, 感谢交流提示 2012-04-28 08:59:27
所谓的经"剪刀算符"修正过的带隙,说白了就是实验带隙值(DFT通常会低估半导体的禁带宽度). 但这个电负性的几何平均值是个神马东东,我也正纠结...这个方法是个半经验的方法,据说准确计算带边位置的方法也已经有了!
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7楼2012-04-27 22:00:08
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目光之城

木虫 (小有名气)

未完

ECB=X-Ee-0.5Eg式中ECB是导带带边的氧化还原电势，X是组成半导体体系各原子电负性的几何平均值，Ee是个常数，Eg采用的是经过“剪刀算符”修正的体系的带隙值。我想问的是根据什么公式可以求出X？！我做的是TiO2
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2楼2011-04-17 19:59:24
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mika

金虫 (正式写手)
目光之城(金币+1): 2011-04-18 08:25:12
引用回帖:
Originally posted by 目光之城 at 2011-04-17 19:59:24:
ECB=X-Ee-0.5Eg式中ECB是导带带边的氧化还原电势，X是组成半导体体系各原子电负性的几何平均值，Ee是个常数，Eg采用的是经过“剪刀算符”修正的体系的带隙值。我想问的是根据什么公式可以求出X？！我做的是TiO2

我不懂楼主的问题，不好意思。但是想问问剪刀算符是什么方法呢》之前我听人提过，但是没注意
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3楼2011-04-17 20:28:59
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yaodu

银虫 (小有名气)
目光之城(金币+1): 2011-04-18 08:25:23
同关注，剪刀算符问题，好像李明宪的教程里讲过，不过我给忘了
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4楼2011-04-17 22:34:46
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