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【请教】掺杂中的XPS问题
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最近合成出掺杂的半导体氧化物纳米材料（In2O3中掺杂Zn），进行XPS表征后表明，C1s 在285.3eV 左右（问过测试老师需不需要用284.6eV进行校正，被告知已经校正过了，可能和我的材料为半导体有关），O 1s 的峰在530.2eV，In3d的峰和纯的氧化铟峰完全吻合，但是Zn2p的峰却在1022.4eV，1045.5eV,比纯相的向能量高的方向移动约0.7eV，查的一些文献很少出现这种情况，有的也没有进行解释，请问诸位大虾，这个应该怎么解释呢，有什么类似的文献吗？ PS，对这个材料进行什么性质测试好些？ |
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2楼2011-11-27 08:40:54
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