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lcljldx

金虫 (正式写手)


[交流] 【求助】请问如何测量禁带宽度?电学方法准确,还是光学方法准确?

测量禁带宽度的方法有很多种,例如:C60是一种直接带隙半导体,带隙宽度理论计算为1.5eV , 电学变温实验测量为1.6eV ,紫外吸收谱观察为1.74eV ,1.5-2.0eV,光电效应 1.9 eV,光激发谱测量为1.7eV,Auger谱测量为2.3eV。
    可是那种方法测量的是准确的呢?光学方法准呢?还是电学方法准呢?它们之间有什么区别与联系吗?请高手指点,在此表示感激。
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lcljldx

金虫 (正式写手)


引用回帖:
楼: Originally posted by 091820053 at 2011-07-10 18:39:43:
电学方法怎么测量呢,楼主赐教啊

利用电学方法测量带隙只是针对本征半导体而言的,非本征半导体测量到的是激活能。测量本征半导体的带隙要利用变温实验,然后利用Arrhenius方程计算可得。
12楼2012-01-06 15:13:35
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查看全部 16 个回答
lcljldx(金币+1): 2011-04-01 09:29:34
lcljldx(金币+2): 2011-04-25 20:10:47
各种测试手段条件一样吗?这才是问题所在
2楼2011-03-31 23:16:45
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cord

铁杆木虫 (著名写手)


lcljldx(金币+1): 2011-04-01 09:29:49
lcljldx(金币+1): 2011-04-25 20:10:39
各种测试手段都有局限性,有的只是测量了材料表面层部分,并不能代表材料体特性。
3楼2011-04-01 03:45:42
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chinawhirl

木虫 (小有名气)


lcljldx(金币+1): 2011-04-01 09:29:54
lcljldx(金币+1): 2011-04-25 20:10:33
光学方法相对准确些
4楼2011-04-01 07:33:48
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