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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 【求助】请问如何测量禁带宽度？电学方法准确，还是光学方法准确？
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lcljldx

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】请问如何测量禁带宽度？电学方法准确，还是光学方法准确？

测量禁带宽度的方法有很多种，例如：C60是一种直接带隙半导体，带隙宽度理论计算为1.5eV ， 电学变温实验测量为1.6eV ，紫外吸收谱观察为1.74eV ，1.5-2.0eV，光电效应 1.9 eV，光激发谱测量为1.7eV，Auger谱测量为2.3eV。
    可是那种方法测量的是准确的呢？光学方法准呢？还是电学方法准呢？它们之间有什么区别与联系吗？请高手指点，在此表示感激。
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1楼 2011-03-31 22:08:37
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lcljldx

金虫 (正式写手)
夕阳西下: 要保持测量的准确性样品当然要符合测量的要求，并不是随便一个物体都可以使用。 2011-06-11 10:40:02
经过长时间的琢磨，我发现并不是光学方法是准的，以紫外为例：测量紫外的话主要是探测样品的透射比例，其中还会遇到反射、散射等情况无法考量，另外，并不是所有的激光都能穿透样品，样品尺度太大，透光性不好均会造成无法利用光学方法对带隙进行测量或者测量不准确！
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10楼2011-06-10 21:44:47
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lcljldx

金虫 (正式写手)
引用回帖:
楼: Originally posted by 091820053 at 2011-07-10 18:39:43:
电学方法怎么测量呢，楼主赐教啊

利用电学方法测量带隙只是针对本征半导体而言的，非本征半导体测量到的是激活能。测量本征半导体的带隙要利用变温实验，然后利用Arrhenius方程计算可得。
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12楼2012-01-06 15:13:35
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