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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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[交流] 【求助】从一篇PRB的快报看带电体系的建模和计算

文章:PRB. 75, 081404  2007  Role of surface peroxo and superoxo species in the low-temperature oxygen buffering of ceria: Density functional theory calculations.

带电体系的计算只有两句:
(1)Charged adsorbates were simulated by including a uniform compensating background.
(2)中性吸附质的binding energy包括:(气相吸附质能+干净表面能)-吸附质/表面能;带电吸附质的binding energy 也用(气相吸附质能+干净表面能)-吸附质/表面能 来表示,区别在于括号部分用真空层中间放置吸质的slab结构来代替。

问题
1. 这个计算如果用vasp来实现,到底如何操作?
2. 如何给CeO2(111)中的一个Ce指定+3价?
3. 如何给一个放置在slab真空层中间的分子(O2)带上一个电荷?
4. 如何增加uniform compensating background?如何限定额外电子局域到真空层的分子上,以及随后吸附在slab上的分子上?





[ Last edited by cenwanglai on 2011-3-10 at 19:59 ]
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mxiangying

新虫 (小有名气)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
See DIPOL tag.

This tag determines the center of the net charge distribution.
4楼2014-09-26 10:47:02
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cenwanglai(金币+1):谢谢参与
cenwanglai(金币+2): 2011-03-11 06:49:59
只知道通过NELECT来控制总电荷数,不晓得如何指定控制这个电荷局域在哪里
还有只要电荷不匹配,vasp会自动加一个uniform compensating background
2楼2011-03-11 02:04:26
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引用回帖:
Originally posted by sunyang1988 at 2011-03-11 02:04:26:
只知道通过NELECT来控制总电荷数,不晓得如何指定控制这个电荷局域在哪里
还有只要电荷不匹配,vasp会自动加一个uniform compensating background

那看来在vasp 中uniform compensating background 是不需要设置的。

对于O2-CeO2 体系,如何设置NELECT = 价电子数+1,文章中有三种结构对应:
Fig 1中的b,c和d. 不知道作为初始结构的时候如何区分。

[ Last edited by cenwanglai on 2011-3-11 at 06:56 ]
3楼2011-03-11 06:54:10
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