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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

[交流] 【求助】从一篇PRB的快报看带电体系的建模和计算

文章：PRB. 75, 081404 2007 Role of surface peroxo and superoxo species in the low-temperature oxygen buffering of ceria: Density functional theory calculations.

带电体系的计算只有两句：
（1）Charged adsorbates were simulated by including a uniform compensating background.
（2）中性吸附质的binding energy包括：（气相吸附质能+干净表面能）-吸附质/表面能；带电吸附质的binding energy 也用（气相吸附质能+干净表面能）-吸附质/表面能来表示，区别在于括号部分用真空层中间放置吸质的slab结构来代替。

问题：
1. 这个计算如果用vasp来实现，到底如何操作？
2. 如何给CeO2（111）中的一个Ce指定+3价？
3. 如何给一个放置在slab真空层中间的分子（O2）带上一个电荷？
4. 如何增加uniform compensating background?如何限定额外电子局域到真空层的分子上，以及随后吸附在slab上的分子上？

[ Last edited by cenwanglai on 2011-3-10 at 19:59 ]

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1楼 2011-03-10 19:38:42

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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

引用回帖:

Originally posted by sunyang1988 at 2011-03-11 02:04:26:
只知道通过NELECT来控制总电荷数，不晓得如何指定控制这个电荷局域在哪里
还有只要电荷不匹配，vasp会自动加一个uniform compensating background

那看来在vasp 中uniform compensating background 是不需要设置的。

对于O2-CeO2 体系，如何设置NELECT = 价电子数+1，文章中有三种结构对应：
Fig 1中的b，c和d. 不知道作为初始结构的时候如何区分。

[ Last edited by cenwanglai on 2011-3-11 at 06:56 ]