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【求助】退火对肖特基势垒的影响
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zzqwexppl
新虫
(初入文坛)
应助: 0
(幼儿园)
金币: 954.3
帖子: 48
在线: 17.8小时
虫号: 676304
[交流]
【求助】退火对肖特基势垒的影响
请问后退火对Metal/Semiconduct films界面势垒高度是否有影响?
在结晶度好的半导体SrTiO3薄膜(已退火)上用离子溅射发镀一层Pt电极。附:SrTiO3薄膜是用溶胶凝胶法制备出来的。
之后:
是否需要对镀好Pt电极的SrTiO3薄膜进行退火???
这次对电极的退火 是否会影响Pt/SrTiO3界面处的势垒高度???
这个问题困扰了在下很久,这次希望通过发帖在此能够找到解决这个问题的答案。
希望各位看到这个帖的能人帮我解决解决这个难题。
万分感谢了。
我的邮箱地址:
zhengzhengqiu@163.com
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2011-03-07 13:29:30
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sgdaiwen
新虫
(小有名气)
应助: 5
(幼儿园)
金币: 65.8
帖子: 52
在线: 47小时
虫号: 1758281
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
不用退后了,因为在溅射镀Pt电极的时候,已经升温了,相当于退火了。如果想形成欧姆接触的话可以考虑退火
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2楼
2013-08-29 21:20:57
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