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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 其他 » 【求助完毕】中性绝缘体大slab可不可以忽略偶级修正呢?
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

[交流] 【求助完毕】中性绝缘体大slab可不可以忽略偶级修正呢?

对于defects in solid的dipole correction, 仅仅是异原子取代掺杂,电中性的,可不可以忽略呢?比如Au取代掺杂CeO2(111)的slab结构上CO的催化氧化.没有看到文献上交代要用偶级修正呢.

表面反应计算产物脱附的时候,需要吧分子拉到真空层.如果分子碰巧是极性的,那么吸附状态的和脱附状态的结构可不可以忽略偶级修正呢?

手册上说带电solid偶级能量级在0.1V左右.那么是否可以预见大的中性高介电常数材料的slab偶级的能量影响在0.01eV数量级?

官方提供的教程Hands-on Session 3计算了CO在Ni表面上的吸附。在计算吸附能的时候没有考虑偶极修正。



在计算LDOS和功函数的时候有考虑。
实际上是否考虑偶极修正对CO在Ni(111)上吸附的功函数有较明显外，其它方面可以忽略。如下两图：




[ Last edited by cenwanglai on 2011-3-19 at 15:41 ]
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1楼 2011-02-23 11:03:14
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)
引用回帖:
Originally posted by bingmou at 2011-02-23 17:18:48:
我觉得如果是电中性的那么就没有必要进行偶极矩校正了
如果分子是极性的，那么就应该考虑偶极矩校正了
介电系数越高，偶极矩应该越小，但是你的slab具体多大，介电系数多高呢？
Hands-on的东西只是示范，应该不 ...

比如文献中常见的CeO2(111)吸附CO。CO是极性分子。一般文献采用的是10*10 A左右大小，9层原子(三层O-Ce-O单元)，真空层高15A. CeO2是绝缘体，介电常数不知道。这种带真空层的表面吸附，介电常数跟bulk CeO2应该是不一样的。不知道怎么考虑这种介电常数。
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3楼2011-02-23 18:17:53
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bingmou

金虫 (著名写手)
★ ★
cenwanglai(金币+3): 呵呵 2011-02-23 18:18:06
zzy870720z(金币+2): 谢谢指教 2011-02-23 21:09:49
我觉得如果是电中性的那么就没有必要进行偶极矩校正了
如果分子是极性的，那么就应该考虑偶极矩校正了
介电系数越高，偶极矩应该越小，但是你的slab具体多大，介电系数多高呢？
Hands-on的东西只是示范，应该不能作为标准做法
赞一下(1人) 回复此楼
2楼2011-02-23 17:18:48
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bingmou

金虫 (著名写手)
★
cenwanglai(金币+3): 呵呵，嗯。 2011-02-23 18:47:53
zzy870720z(金币+1): 谢谢讨论 2011-02-23 21:10:01
引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2011-02-23 18:17:53:
比如文献中常见的CeO2(111)吸附CO。CO是极性分子。一般文献采用的是10*10 A左右大小，9层原子(三层O-Ce-O单元)，真空层高15A. CeO2是绝缘体，介电常数不知道。这种带真空层的表面吸附，介电常数跟bulk CeO2应该 ...

如果是在表面的吸附，那就应该和介质没有关系了，就是真空
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4楼2011-02-23 18:19:16
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