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【求助完毕】中性绝缘体大slab可不可以忽略偶级修正呢?
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cenwanglai
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[交流]
【求助完毕】中性绝缘体大slab可不可以忽略偶级修正呢?
对于defects in solid的dipole correction, 仅仅是异原子取代掺杂,电中性的,可不可以忽略呢?比如Au取代掺杂CeO2(111)的slab结构上CO的催化氧化.没有看到文献上交代要用偶级修正呢.
表面反应计算产物脱附的时候,需要吧分子拉到真空层.如果分子碰巧是极性的,那么吸附状态的和脱附状态的结构可不可以忽略偶级修正呢?
手册上说带电solid偶级能量级在0.1V左右.那么是否可以预见大的中性高介电常数材料的slab偶级的能量影响在0.01eV数量级?
官方提供的教程Hands-on Session 3计算了CO在Ni表面上的吸附。在计算吸附能的时候没有考虑偶极修正。
在计算LDOS和功函数的时候有考虑。
实际上是否考虑偶极修正对CO在Ni(111)上吸附的功函数有较明显外,其它方面可以忽略。如下两图:
[
Last edited by cenwanglai on 2011-3-19 at 15:41
]
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Originally posted by
bingmou
at 2011-02-23 17:18:48:
我觉得如果是电中性的那么就没有必要进行偶极矩校正了
如果分子是极性的,那么就应该考虑偶极矩校正了
介电系数越高,偶极矩应该越小,但是你的slab具体多大,介电系数多高呢?
Hands-on的东西只是示范,应该不 ...
比如文献中常见的CeO2(111)吸附CO。CO是极性分子。一般文献采用的是10*10 A左右大小,9层原子(三层O-Ce-O单元),真空层高15A. CeO2是绝缘体,介电常数不知道。这种带真空层的表面吸附,介电常数跟bulk CeO2应该是不一样的。不知道怎么考虑这种介电常数。
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3楼
2011-02-23 18:17:53
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