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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 【请教】SiO2包覆
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axuejiang

捐助贵宾 (小有名气)

[交流] 【请教】SiO2包覆

在看包覆的文章的时候，有的文章用TEOS作为硅源，有的文献用TMOS作为硅源，请问一下这两个在包覆的时候有什么不同吗？哪个更适合做金属包覆？谢谢
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1楼 2011-02-18 15:12:10
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axuejiang

捐助贵宾 (小有名气)
你们为什么不用TEOS，知道他们两个的不同吗
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3楼2011-02-18 16:09:27
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772968930

金虫 (正式写手)

TMOS

qianniuhua201: 鼓励交流 2011-02-19 13:06:11
我看我们实验室包裹磁性颗粒用的TMOS
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2楼2011-02-18 16:04:28
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cox1984819

银虫 (初入文坛)
qianniuhua201: 鼓励交流 2011-02-19 13:06:28

基本没有不同。
gelation time不一样。TEOS比较常用，便宜。TMOS反映快。
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4楼2011-02-19 09:37:29
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zouxy

铜虫 (小有名气)
★
xjajx(金币+1): 鼓励交流 2011-02-19 18:17:06

我们实验室都用TEOS，常用来包覆Ag，AgO，氧化铁，效果不错的，版主可以试试
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5楼2011-02-19 16:00:30
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