| 查看: 1011 | 回复: 6 | |||
| 本帖产生 1 个 翻译EPI ，点击这里进行查看 | |||
[交流]
编辑叫我修改这几个句子！！
|
|||
|
我们得到的结果是缺陷束缚激子产生3.366 eV处的发射。随着温度的升高，在5.7 meV热激活能作用下它会转化为自由激子。 We show that the excitons bound to structural defects lead to the emission of 3.366 eV which transfers to free excitons with thermal activation energy of 5.7 meV as increasing temperature. 在样品的（XRD）图谱中，除了57.66°处的硅衬底峰外，没有发现其它晶相的峰。 No other crystalline phase is found in the sample, besides of the peak located at 57.66° from silicon substrate. 假设激子束缚能和温度没有关系，我们可以认为带隙大小等于自由激子能和激子束缚能之和。 Assuming the exciton binding energy is independence of temperature, we can estimate the band gap energy to be the sum of free excitons transition energy and exciton binding energy at 8 K. 3.336 eV处的发射在光谱中占主导地位，它的来源归根于缺陷激子复合发光。 The excitonic-related emission peak of 3.336 eV dominates the spectra, and is accounted for the recombination of excitons bound to structural defects (DBX). PS: 中文是我要表达的意思，英语翻译有问题。 大家帮忙下，看我这几个句子问题出在哪里？ [ Last edited by 天外飞仙5388 on 2011-2-11 at 10:19 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
职称评审没过，求安慰
已经有49人回复
-
26申博自荐
已经有3人回复
-
A期刊撤稿
已经有4人回复
-
垃圾破二本职称评审标准
已经有17人回复
-
投稿Elsevier的Neoplasia杂志，到最后选publishing options时页面空白，不能完成投稿
已经有22人回复
-
EST投稿状态问题
已经有7人回复
-
毕业后当辅导员了，天天各种学生超烦
已经有4人回复
-
三无产品还有机会吗
已经有6人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
推荐给英语教学者的一本单词书《金鱼单词讲义：从26个拉丁字母到106万个英语单词》
+3/897
-
散金祈福
+1/613
-
复旦大学化学系杰青/优青团队诚聘博士后
+3/153
-
Analytical Science Advances（Wiley出版社）长期征稿中...
+1/95
-
Analytical Science Advances（Wiley出版社）长期征稿中...
+1/89
-
澳門大學 土木工程碩士和建造项目管理碩士招聘
+1/80
-
中国科学院山西煤炭化学研究所水污染防治与资源化利用方向招本科/硕士线上实习生
+1/78
-
限广州，征女友
+2/36
-
博士后招聘
+1/28
-
中科大环境系张常勇教授课题组招聘副研/博士后（一人一议）
+1/23
-
求租南京-栖霞区-尧化门附件有虫友有房子要往外出租吗？来个一室的就行。
+1/18
-
长春工业大学 机电工程学院 韩玲 招收申请审核制2026年秋季入学博士生
+1/10
-
杭州师范大学心理系赛李阳课题组招收2026年学术学位博士研究生
+1/9
-
中南大学化学化工学院高性能聚合物团队2026年诚聘博士后或青年教师
+1/8
-
中国地质大学（武汉）戴志高课题组诚招2026级硕博研究生
+1/5
-
实验室研究员
+1/4
-
有没有做核磁共振系统的虫友呢
+1/3
-
南京大学FinTech大模型实验室招募斯坦福国际联培博士生（2026）
+1/2
-
英国兰卡斯特大学（Lancaster University）大模型、计算机视觉PhD招生
+1/2
-
广西大学化学化工学院江俊教授课题组招收2026年博士研究生
+1/2
天外飞仙5388(金币+2, 翻译EPI+1): 2011-02-11 15:00:21
|
我们得到的结果是缺陷束缚激子产生3.366 eV处的发射。随着温度的升高，在5.7 meV热激活能作用下它会转化为自由激子。 We show that defects bound exciton emission at 3.366 eV transfers to free excitons through activation by thermal energy of 5.7 meV with temperature increasing. 除了57.66°处的硅衬底峰外，没有发现其它晶相的峰。 In addition to the peak at 57.66 ° from the silicon substrate, there is no other crystalline phase found in the peak. 假设激子束缚能和温度没有关系，我们可以认为带隙大小等于自由激子能和激子束缚能之和。 Assuming the exciton binding energy is independent of temperature, we can think that the band gap energy equals to the sum of free excitons transition energy and exciton binding energy at 8 K. 3.336 eV处的发射在光谱中占主导地位，它的来源归根于缺陷激子复合发光。 The spectrum is dominated by emission at 3.336 eV from excitonic recombination defects. |
2楼2011-02-11 10:54:51
天外飞仙5388(金币+2): 2011-02-11 15:00:37
|
我们得到的结果是缺陷束缚激子产生3.366 eV处的发射。随着温度的升高，在5.7 meV热激活能作用下它会转化为自由激子。 The result show that defects bound exciton emission at 3.366 eV transfered to free excitons through activation by thermal energy of 5.7 meV as temperature increased. 除了57.66°处的硅衬底峰外，没有发现其它晶相的峰。 Except the peak at 57.66 ° from the silicon substrate, there is no other crystalline phase found in the peak. 假设激子束缚能和温度没有关系，我们可以认为带隙大小等于自由激子能和激子束缚能之和。 Assumed that the exciton binding energy was independent of temperature, we could conclude that the band gap energy equals to the sum of free excitons transition energy and exciton binding energy at 8 K. 3.336 eV处的发射在光谱中占主导地位，它的来源归根于缺陷激子复合发光。 The spectrum is dominated by emission at 3.336 eV ,which is from excitonic recombination defects. |
3楼2011-02-11 11:27:58
天外飞仙5388(金币+2): 2011-02-11 15:00:47
|
我们得到的结果是缺陷束缚激子产生3.366 eV处的发射。随着温度的升高，在5.7 meV热激活能作用下它会转化为自由激子。 The results show that defects bound exciton emission at 3.366 eV transfers to free excitons through activation by thermal energy of 5.7 meV with temperature increasing. 除了57.66°处的硅衬底峰外，没有发现其它晶相的峰。 In addition to the peak at 57.66 ° from the silicon substrate, there is no other crystalline phase found in the peak. 假设激子束缚能和温度没有关系，我们可以认为带隙大小等于自由激子能和激子束缚能之和。 Assuming the exciton binding energy is independent of temperature, we can conclude that the band gap energy equals to the sum of free excitons transition energy and exciton binding energy at 8 K. 3.336 eV处的发射在光谱中占主导地位，它的来源归根于缺陷激子复合发光。 The spectrum is dominated by emission at 3.336 eV，which is from excitonic recombination defects. |
4楼2011-02-11 12:04:56
5楼2011-02-11 12:05:24
6楼2011-02-11 12:23:13
7楼2011-02-11 16:07:39