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8814402

至尊木虫 (职业作家)

天外飞仙5388(金币+2, 翻译EPI+1): 2011-02-11 15:00:21

我们得到的结果是缺陷束缚激子产生3.366 eV处的发射。随着温度的升高，在5.7 meV热激活能作用下它会转化为自由激子。
We show that defects bound exciton emission at 3.366 eV transfers to free excitons through activation by thermal energy of 5.7 meV with temperature
increasing.
除了57.66°处的硅衬底峰外，没有发现其它晶相的峰。
In addition to the peak at 57.66 ° from the silicon substrate, there is no other crystalline phase found in the peak.
假设激子束缚能和温度没有关系，我们可以认为带隙大小等于自由激子能和激子束缚能之和。
Assuming the exciton binding energy is independent of temperature, we can think that the band gap energy equals to the sum of free excitons transition energy and exciton binding energy at 8 K.
3.336 eV处的发射在光谱中占主导地位，它的来源归根于缺陷激子复合发光。
The spectrum is dominated by emission at 3.336 eV from excitonic recombination defects.

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2楼2011-02-11 10:54:51

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