| 查看: 1114 | 回复: 6 | |||
| 本帖产生 1 个 翻译EPI ，点击这里进行查看 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
编辑叫我修改这几个句子！！
|
|||
|
我们得到的结果是缺陷束缚激子产生3.366 eV处的发射。随着温度的升高，在5.7 meV热激活能作用下它会转化为自由激子。 We show that the excitons bound to structural defects lead to the emission of 3.366 eV which transfers to free excitons with thermal activation energy of 5.7 meV as increasing temperature. 在样品的（XRD）图谱中，除了57.66°处的硅衬底峰外，没有发现其它晶相的峰。 No other crystalline phase is found in the sample, besides of the peak located at 57.66° from silicon substrate. 假设激子束缚能和温度没有关系，我们可以认为带隙大小等于自由激子能和激子束缚能之和。 Assuming the exciton binding energy is independence of temperature, we can estimate the band gap energy to be the sum of free excitons transition energy and exciton binding energy at 8 K. 3.336 eV处的发射在光谱中占主导地位，它的来源归根于缺陷激子复合发光。 The excitonic-related emission peak of 3.336 eV dominates the spectra, and is accounted for the recombination of excitons bound to structural defects (DBX). PS: 中文是我要表达的意思，英语翻译有问题。 大家帮忙下，看我这几个句子问题出在哪里？ [ Last edited by 天外飞仙5388 on 2011-2-11 at 10:19 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
复试调剂，一志愿郑州大学材料与化工289分
已经有23人回复
-
化学工程与技术专业一志愿哈工程 291分B区 国家级大创负责人 有一作论文
已经有6人回复
-
材料调剂
已经有10人回复
-
314求调剂
已经有12人回复
-
调剂 化学 307
已经有8人回复
-
一志愿211 0703化学 346分求调剂
已经有11人回复
-
086003调剂求助
已经有14人回复
-
085400 328分 求调剂
已经有5人回复
-
083200 初试305分 求调剂
已经有9人回复
-
284求调剂
已经有3人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
陕科大环境学院招收0857和0830调剂考生【可跨门类，最后2两小时】
+1/188
-
延安大学接收化学与化工学院接收调剂生（化学、化工学硕和材料与化工专硕）
+2/140
-
宁波大学2026年紧急补招植保方向（昆虫或植病）博士研究生1-2名
+1/88
-
江西理工大学碳材料与新能源课题组招收2026年调剂生（学硕硕博连读）
+1/87
-
2026秋季全奖港博招生：硬件安全 / 芯片设计 / AI算力方向博士招生
+1/86
-
山西大学光量子技术与器件国家实验室招收物理、光学、材料专业2026级博士、硕士研究生
+1/40
-
考研调剂-能源动力、动力工程及工程热物理、新能源科学与工程、建环、材料等学科背景
+1/38
-
岭南师范学院生物与医药专业（生物技术与工程领域）2026年调剂公告
+1/21
-
江西理工大学稀土学院-招收调剂硕士研究生
+1/20
-
北京理工大学（珠海）招收2026级考核制博士
+1/15
-
长沙理工大学热环境方向招收专硕调剂生
+1/9
-
广东工业大学生态环境与海洋学院张轩教授课题组招收分离膜领域2026年入学博士生1人
+1/9
-
教育部长江学者和创新团队发展计划”入选团队招收 材料与化工硕士研究生（工科）
+1/9
-
北京化工大学材料学院高分子微针实验室招收调剂
+1/9
-
招聘二维半导体材料方向博士后、联合培养博士生、硕士生
+1/5
-
中南大学材料学院李明教授课题组招收2026年全日制学术型博士生
+1/5
-
济南大学天然药物化学生物学省重点实验室招收生物学、制药工程学专硕调剂
+1/4
-
海水鱼类遗传育种课题组招收硕士调剂生
+1/4
-
北航-机械学院-招26年9月博士
+1/2
-
北京农学院植物保护学硕和生物与医药专硕各招收1名，尽快联系18301131351
+1/1
天外飞仙5388(金币+2): 2011-02-11 15:00:37
|
我们得到的结果是缺陷束缚激子产生3.366 eV处的发射。随着温度的升高，在5.7 meV热激活能作用下它会转化为自由激子。 The result show that defects bound exciton emission at 3.366 eV transfered to free excitons through activation by thermal energy of 5.7 meV as temperature increased. 除了57.66°处的硅衬底峰外，没有发现其它晶相的峰。 Except the peak at 57.66 ° from the silicon substrate, there is no other crystalline phase found in the peak. 假设激子束缚能和温度没有关系，我们可以认为带隙大小等于自由激子能和激子束缚能之和。 Assumed that the exciton binding energy was independent of temperature, we could conclude that the band gap energy equals to the sum of free excitons transition energy and exciton binding energy at 8 K. 3.336 eV处的发射在光谱中占主导地位，它的来源归根于缺陷激子复合发光。 The spectrum is dominated by emission at 3.336 eV ,which is from excitonic recombination defects. |
3楼2011-02-11 11:27:58
天外飞仙5388(金币+2, 翻译EPI+1): 2011-02-11 15:00:21
|
我们得到的结果是缺陷束缚激子产生3.366 eV处的发射。随着温度的升高，在5.7 meV热激活能作用下它会转化为自由激子。 We show that defects bound exciton emission at 3.366 eV transfers to free excitons through activation by thermal energy of 5.7 meV with temperature increasing. 除了57.66°处的硅衬底峰外，没有发现其它晶相的峰。 In addition to the peak at 57.66 ° from the silicon substrate, there is no other crystalline phase found in the peak. 假设激子束缚能和温度没有关系，我们可以认为带隙大小等于自由激子能和激子束缚能之和。 Assuming the exciton binding energy is independent of temperature, we can think that the band gap energy equals to the sum of free excitons transition energy and exciton binding energy at 8 K. 3.336 eV处的发射在光谱中占主导地位，它的来源归根于缺陷激子复合发光。 The spectrum is dominated by emission at 3.336 eV from excitonic recombination defects. |
2楼2011-02-11 10:54:51
天外飞仙5388(金币+2): 2011-02-11 15:00:47
|
我们得到的结果是缺陷束缚激子产生3.366 eV处的发射。随着温度的升高，在5.7 meV热激活能作用下它会转化为自由激子。 The results show that defects bound exciton emission at 3.366 eV transfers to free excitons through activation by thermal energy of 5.7 meV with temperature increasing. 除了57.66°处的硅衬底峰外，没有发现其它晶相的峰。 In addition to the peak at 57.66 ° from the silicon substrate, there is no other crystalline phase found in the peak. 假设激子束缚能和温度没有关系，我们可以认为带隙大小等于自由激子能和激子束缚能之和。 Assuming the exciton binding energy is independent of temperature, we can conclude that the band gap energy equals to the sum of free excitons transition energy and exciton binding energy at 8 K. 3.336 eV处的发射在光谱中占主导地位，它的来源归根于缺陷激子复合发光。 The spectrum is dominated by emission at 3.336 eV，which is from excitonic recombination defects. |
4楼2011-02-11 12:04:56
6楼2011-02-11 12:23:13
