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xiaobai216新虫 (初入文坛)
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【求助】继续讨论关于形成能的问题
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以金刚石结构的64原子硅晶胞为例： 在64-atom supercell中构建加入一个间隙位的氧原子，计算间隙氧原子的形成能。按照形成能公式 Ef=E[Si64Oi]-sum_nμ， 其中E[Si64Oi]是掺杂后的缺陷体系的能量，n是体系中不同原子的个数，μ是体系中各种原子的化学势；则 Ef=E[Si64Oi]-64E[Si]-E[Oi] 1. 这种计算方法正确吗？是否要考虑电价的影响即形成能公式中加入Q项？ 2.如果采用这种计算方式的话，需要考虑原子的化学势，则： 1） μ可用单个原子的能量来代替吗？计算Si的单原子能量能否用一个完整的硅晶胞 计算单点能后除以晶胞中的原子个数来得到？之前也有讨论说建立一个大的空立方格子，在格子中心放一个硅原子做能量计算，我比较了两种方法，发现所得的能量有比较大的差值； 2）如果化学势可以用单个原子的能量来代替的话，那单个氧原子的能量怎么来计 算？之前有讨论说建立大的空格子在中心放一个氧分子，计算的能量后除以2得单个氧原子的能量，对吗？ [ Last edited by xiaobai216 on 2010-10-27 at 12:19 ] |
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8楼2010-10-27 23:31:30
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xiaobai216(金币+5):谢谢，我觉得你说的很对，但用第一种方法得到的单个原子能量算得的空位形成能大的离谱，而第二种方法算得的与实验值倒是相近... 2010-10-28 12:09:25
cenwanglai(金币+2):谢谢回复！ 2010-10-28 13:52:22
xiaobai216(金币+5):谢谢，我觉得你说的很对，但用第一种方法得到的单个原子能量算得的空位形成能大的离谱，而第二种方法算得的与实验值倒是相近... 2010-10-28 12:09:25
cenwanglai(金币+2):谢谢回复！ 2010-10-28 13:52:22
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如果你计算的是单晶Si中惨杂O原子的能量变化，那么2楼为正解。关于单个原子的能量，你的第一种计算方法是正确的，即建立大的立方空胞，在空胞中心放一个原子计算其Gamma点的能量即可。后一种方法计算的不是单个原子在真空中的能量，而是在单晶Si中的平均能量，这显然不是你所需要的。计算惨杂O原子的能量也是一个道理，不能按分子氧进行。 |
9楼2010-10-28 10:43:27
limin2007
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