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xiaobai216

新虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】继续讨论关于形成能的问题

以金刚石结构的64原子硅晶胞为例:

    在64-atom supercell中构建加入一个间隙位的氧原子,计算间隙氧原子的形成能。按照形成能公式

                                        Ef=E[Si64Oi]-sum_nμ,

其中E[Si64Oi]是掺杂后的缺陷体系的能量,n是体系中不同原子的个数,μ是体系中各种原子的化学势;则

                                       Ef=E[Si64Oi]-64E[Si]-E[Oi]

1. 这种计算方法正确吗?是否要考虑电价的影响即形成能公式中加入Q项?

2.如果采用这种计算方式的话,需要考虑原子的化学势,则:

    1) μ可用单个原子的能量来代替吗?计算Si的单原子能量能否用一个完整的硅晶胞     计算单点能后除以晶胞中的原子个数来得到?之前也有讨论说建立一个大的空立方格子,在格子中心放一个硅原子做能量计算,我比较了两种方法,发现所得的能量有比较大的差值;

    2)如果化学势可以用单个原子的能量来代替的话,那单个氧原子的能量怎么来计   算?之前有讨论说建立大的空格子在中心放一个氧分子,计算的能量后除以2得单个氧原子的能量,对吗?

[ Last edited by xiaobai216 on 2010-10-27 at 12:19 ]
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study163

木虫 (正式写手)

天生我材

★ ★
bingmou(金币+2):感谢参与 2010-10-27 16:42:08
xiaobai216(金币+5):谢谢指教,还有两个问题不大清楚... 2010-10-27 16:49:26
Ef=E[Si64Oi]-E[Si64]-E[Oi]

因为你讨论的是si64的吸附性质,所以要用si64的单点能作为参考能量。
另外计算单个硅原子能量可以计算硅晶体的总能,再除以每个晶胞中硅的数目。
氧原子的能量同样可以计算氧分子的能量,再除以二。计算氧分子的能量时,把氧分子放在一个大的晶胞里。
我的计算我做主
3楼2010-10-27 16:39:08
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study163

木虫 (正式写手)

天生我材

xiaobai216(金币+2): 2010-10-28 12:07:29
对,计算氧分子的单点能的时候就是用空的晶胞。你计算单个si与计算si晶体时的计算参数 是一样的吗
我的计算我做主
6楼2010-10-27 20:54:55
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