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weiwei128

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】计算电荷密度差的方法

大家好,现在用vasp做体系的电荷密度差,有些疑问,想请教下版友。在论坛里搜了下以前的帖子,有两种方法:
一,delta_RHO = RHO_sc - RHO_atom

  其中 RHO_sc 为自洽的面电荷密度,而 RHO_atom 为相应的非自洽的面电荷密度,是由理想的原子周围电荷分布堆彻得到的,即为原子电荷密度的叠加(a superposition of atomic charge densities)。RHO_atom的非自洽计算需要在INCAR中设置ICHARG=12,NELM=0;最后把两次得到的CHGCAR相减得到了电荷密度差文件;
二,假设吸附体系为A+B,先计算A+B的自洽电荷密度,然后在FFT mesh相同的条件下,分别计算A, B的自洽电荷密度,最后CHGCAR(A+B)- CHGCAR(A)- CHGCAR(B).
      我的疑问是哪种方法是对的,或者更精确?个人倾向后一种,文献里用这种公式的比较多,但是自己用第二种方法算的时候,不知道怎么设置相同的FFT mesh?
分别计算A, B的时候,空间坐标要和A+B体系中一致吗?怎么设置。。删掉多余的原子?
    恳求帮助,谢谢~~~
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xiangxiao

新虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
楼主请问问题解决了吗 ,我也刚好遇到这个问题,能向你请教一下吗
4楼2016-12-15 19:43:37
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)


bingmou(金币+1):感谢交流。为什么第二种的少呢? 2010-10-20 13:12:06
weiwei128(金币+1):谢谢交流 2010-10-20 14:19:12
假如你用的是VASP,一般是第一种多一点。
看ICHARG的设置
2楼2010-10-20 12:16:34
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bingmou

金虫 (著名写手)

能否具体区别一些这两种方法呢?
3楼2010-10-20 13:12:33
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