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weiwei128金虫 (小有名气)
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[交流]
【求助】计算电荷密度差的方法
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大家好，现在用vasp做体系的电荷密度差，有些疑问，想请教下版友。在论坛里搜了下以前的帖子，有两种方法： 一，delta_RHO = RHO_sc - RHO_atom 其中 RHO_sc 为自洽的面电荷密度，而 RHO_atom 为相应的非自洽的面电荷密度，是由理想的原子周围电荷分布堆彻得到的，即为原子电荷密度的叠加(a superposition of atomic charge densities)。RHO_atom的非自洽计算需要在INCAR中设置ICHARG=12，NELM=0；最后把两次得到的CHGCAR相减得到了电荷密度差文件； 二，假设吸附体系为A+B，先计算A+B的自洽电荷密度，然后在FFT mesh相同的条件下，分别计算A, B的自洽电荷密度，最后CHGCAR（A+B）- CHGCAR（A）- CHGCAR（B). 我的疑问是哪种方法是对的，或者更精确？个人倾向后一种，文献里用这种公式的比较多，但是自己用第二种方法算的时候，不知道怎么设置相同的FFT mesh？ 分别计算A, B的时候，空间坐标要和A+B体系中一致吗？怎么设置。。删掉多余的原子？ 恳求帮助，谢谢~~~ |
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3楼2010-10-20 13:12:33
y1ding
铁杆木虫 (著名写手)
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2楼2010-10-20 12:16:34
xiangxiao
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4楼2016-12-15 19:43:37
