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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 【求助】有关过渡金属掺杂量的问题？
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dyk325

铁虫 (小有名气)

[交流] 【求助】有关过渡金属掺杂量的问题？ 已有1人参与

我在SiC中掺杂过渡金属Ni，发现随着掺杂量的减小，带隙越小，介电和吸收谱所出现的新的杂质峰的强度越来越大，看很多文献都是随着掺杂量的增加，带隙才越小，介电和吸收谱的杂质峰强度越大。很困惑，不知道自己是否计算的方法有问题。不知道大家是否遇到此类问题。
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1楼 2010-10-01 10:44:50
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fzx2008

荣誉版主 (著名写手)

优秀版主优秀版主
★ ★
dyk325(金币+2):谢谢参与
zxzj05(金币+1):奖励参与讨论！ 2010-10-01 20:22:09
计算的掺杂浓度跟实验的掺杂浓度有区别
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2楼2010-10-01 16:45:08
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dyk325

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by fzx2008 at 2010-10-01 16:45:08:
计算的掺杂浓度跟实验的掺杂浓度有区别

谢谢回复。不过我看得也是计算的文献，不过不是SiC，其他的基体掺杂，呵呵，您说的区别具体指？
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3楼2010-10-01 20:49:15
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melodysunny

新虫 (初入文坛)
★ ★
dyk325(金币+2):谢谢参与
zxzj05(金币+1):回帖交流奖励！ 2010-10-02 23:22:04
我感觉也应该掺杂越多，带隙应该越小，是不是从半导体的角度讲，掺杂意味这提供的施主能级或受主能级越多？（偶对半导体不太熟悉，千万不要笑话），当然也不排除某些特殊的体系有特殊的情况。
楼主在计算不同掺杂百分比时，体系结构是否发生变化，或者掺杂位置的变化，或者是其它参数的变化，包括精度的变化，等等。
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4楼2010-10-02 22:02:48
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dyk325

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by melodysunny at 2010-10-02 22:02:48:
我感觉也应该掺杂越多，带隙应该越小，是不是从半导体的角度讲，掺杂意味这提供的施主能级或受主能级越多？（偶对半导体不太熟悉，千万不要笑话），当然也不排除某些特殊的体系有特殊的情况。
楼主在计算不同掺 ...

呵呵，我掺杂时精度参数选择的都是一样的，为了有比较性。掺杂的位置都是替代Si。所以掺杂量越大，带隙越大还是挺困惑的。 我对半导体掺杂也是刚接触不久， 大家讨论讨论一起提高O(∩_∩)O~
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5楼2010-10-03 15:57:03
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铁虫 (初入文坛)
★
dyk325(金币+2): 谢谢参与
楼主你增加掺杂量的时候 是怎么确定同一个掺杂量的占位排布是所有排布中最稳定的啊？ 是比如掺0.3，然后建模的时候建几种排布模型，最后选能量最低的当做理想掺杂？
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6楼2020-10-14 16:38:32
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铁虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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楼主你增加掺杂量的时候 是怎么确定同一个掺杂量的占位排布是所有排布中最稳定的啊？ 是比如掺0.3，然后建模的时候建几种排布模型，最后选能量最低的当做理想掺杂？
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7楼2020-10-14 16:38:46
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