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【求助】有关过渡金属掺杂量的问题？ 已有1人参与
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| 我在SiC中掺杂过渡金属Ni，发现随着掺杂量的减小，带隙越小，介电和吸收谱所出现的新的杂质峰的强度越来越大，看很多文献都是随着掺杂量的增加，带隙才越小，介电和吸收谱的杂质峰强度越大。很困惑，不知道自己是否计算的方法有问题。不知道大家是否遇到此类问题。 |
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3楼2010-10-01 20:49:15
fzx2008
荣誉版主 (著名写手)
- 1ST强帖: 9
- 应助: 272 (大学生)
- 贵宾: 1.045
- 金币: 21814.1
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- 红花: 33
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- 虫号: 621341
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- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
- 管辖: 第一性原理
2楼2010-10-01 16:45:08
melodysunny
新虫 (初入文坛)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 16.1
- 帖子: 13
- 在线: 17小时
- 虫号: 950938
- 注册: 2010-01-30
- 性别: MM
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
），当然也不排除某些特殊的体系有特殊的情况。4楼2010-10-02 22:02:48
5楼2010-10-03 15:57:03
投票:
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