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【求助】有关过渡金属掺杂量的问题？ 已有1人参与
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| 我在SiC中掺杂过渡金属Ni，发现随着掺杂量的减小，带隙越小，介电和吸收谱所出现的新的杂质峰的强度越来越大，看很多文献都是随着掺杂量的增加，带隙才越小，介电和吸收谱的杂质峰强度越大。很困惑，不知道自己是否计算的方法有问题。不知道大家是否遇到此类问题。 |
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fzx2008
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），当然也不排除某些特殊的体系有特殊的情况。4楼2010-10-02 22:02:48
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