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dyk325

铁虫 (小有名气)

[交流] 【求助】有关过渡金属掺杂量的问题? 已有1人参与

我在SiC中掺杂过渡金属Ni,发现随着掺杂量的减小,带隙越小,介电和吸收谱所出现的新的杂质峰的强度越来越大,看很多文献都是随着掺杂量的增加,带隙才越小,介电和吸收谱的杂质峰强度越大。很困惑,不知道自己是否计算的方法有问题。不知道大家是否遇到此类问题。
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铁虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
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楼主你增加掺杂量的时候 是怎么确定同一个掺杂量的占位排布是所有排布中最稳定的啊? 是比如掺0.3,然后建模的时候建几种排布模型,最后选能量最低的当做理想掺杂?
7楼2020-10-14 16:38:46
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fzx2008

荣誉版主 (著名写手)

优秀版主优秀版主

★ ★
dyk325(金币+2):谢谢参与
zxzj05(金币+1):奖励参与讨论! 2010-10-01 20:22:09
计算的掺杂浓度跟实验的掺杂浓度有区别
2楼2010-10-01 16:45:08
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dyk325

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by fzx2008 at 2010-10-01 16:45:08:
计算的掺杂浓度跟实验的掺杂浓度有区别

谢谢回复。不过我看得也是计算的文献,不过不是SiC,其他的基体掺杂,呵呵,您说的区别具体指?
3楼2010-10-01 20:49:15
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melodysunny

新虫 (初入文坛)

★ ★
dyk325(金币+2):谢谢参与
zxzj05(金币+1):回帖交流奖励! 2010-10-02 23:22:04
我感觉也应该掺杂越多,带隙应该越小,是不是从半导体的角度讲,掺杂意味这提供的施主能级或受主能级越多?(偶对半导体不太熟悉,千万不要笑话),当然也不排除某些特殊的体系有特殊的情况。
楼主在计算不同掺杂百分比时,体系结构是否发生变化,或者掺杂位置的变化,或者是其它参数的变化,包括精度的变化,等等。
4楼2010-10-02 22:02:48
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