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对于导带部分 ,其主要来源于 Zn4s 态的贡献 ,且电子具有明显的从 Zn4s 态到 O2p 态的跃迁过程 ,引起氧位置处的局域态密度的引力中心向低能级方向移动，表明理想 ZnO 是一个离子性较强而共价键较弱的混合键金属氧化物半导体材料。我只能看出导带主要来源于Zn4S态的贡献，后面部分都不理解，希望会的同学帮帮忙。 十分感谢 |
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