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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 态密度成键与反键
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hwceng0816

木虫 (著名写手)

[求助] 态密度成键与反键 已有1人参与

态密度图可以看出成键区与反键区吗？
是不是费米能级一下是成键区，以上是反键区？懂得帮忙解释一下。谢谢！
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1楼 2012-08-15 16:32:04
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

souledge

专家顾问 (著名写手)
★ ★
franch: 金币+2, 专家考核, 谢谢回帖交流 2012-08-16 01:01:32
想看成键和反键轨道，最好用基于obital的basis set，比如各种LMTO，LCAO之类的COOP或者COHP分析。当然，像Gaussian那样用各种obital basis set的就更没问题了。
至于费米能级，100%不是分界线。并且在晶体中，正反键可能有会有局部重叠。
至于为什么不是，LZ自己仔细读一读Fermi Level的定义，还有正反键的定义就该清楚了。或者，LZ现在能否清楚的说出什么是Fermi Level，什么是bonding和anti-bonding呢？
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思想重于技巧，内涵重于表象
2楼2012-08-15 17:33:00
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souledge

专家顾问 (著名写手)
借帖寻iamikaruk～使用RSPt中的BCOOP计算TiN（Fm-3m）的bonding和anti-bonding状态，得到如下的分布图（能量单位为Ry）：

不过怎么感觉有两个问题呢～
第一，反键的区域远大于成键的区域～
第二，在0.8左右的成键区域之前，出现了大量的反键～一般认为成键的能量要低于反键吧～
第三，成键和反键之间应该有一段的重叠区域，用RSPt的BCOOP却无法表示重叠问题，有神马其他方法解决这个么？
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思想重于技巧，内涵重于表象
9楼2012-08-18 11:56:51
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souledge

专家顾问 (著名写手)
引用回帖:
9楼: Originally posted by souledge at 2012-08-18 11:56:51
借帖寻iamikaruk～使用RSPt中的BCOOP计算TiN（Fm-3m）的bonding和anti-bonding状态，得到如下的分布图（能量单位为Ry）：
a3/48/941486_1345261959_505.png
不过怎么感觉有两个问题呢～
第一，反键的区域远大于成 ...

OK，问题解决，是角量子数的设置匹配问题～
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思想重于技巧，内涵重于表象
10楼2012-08-18 13:23:29
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souledge

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
WDD880227: 金币+1, 多谢指教 2012-08-20 09:56:11
引用回帖:
7楼: Originally posted by cenwanglai at 2012-08-17 14:11:05
不能从形状上区分成键轨道和反键轨道~

对于导体，有个近似的形状划分方法，就是找pseudo-gap～一般认为pseudo-gap的位置与正反键交界处相同～
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思想重于技巧，内涵重于表象
11楼2012-08-18 14:34:35
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普通回帖

hwceng0816

木虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by souledge at 2012-08-15 17:33:00
想看成键和反键轨道，最好用基于obital的basis set，比如各种LMTO，LCAO之类的COOP或者COHP分析。当然，像Gaussian那样用各种obital basis set的就更没问题了。
至于费米能级，100%不是分界线。并且在晶体中，正反 ...

你说的那些分析我都没听过，我用的是CASTEP计算得到的 文献上说低能成键区  高能反键区  不是很懂 这方面的理论没学
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3楼2012-08-15 18:26:30
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成广

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
WDD880227: 金币+1, 谢谢提示 2012-08-17 08:41:57
费米能级来区分bonding 和anti-bonding，这完全不是一回事，但是一般的，vbm为bonding states，cbm为anti-bonding states，当然不是这种情况的材料很多，看bonding和anti-bonding，比较直观和相对简单的方法，可以看看键上的charge density，由形状来判断。
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4楼2012-08-17 00:48:16
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hwceng0816

木虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 成广 at 2012-08-17 00:48:16
费米能级来区分bonding 和anti-bonding，这完全不是一回事，但是一般的，vbm为bonding states，cbm为anti-bonding states，当然不是这种情况的材料很多，看bonding和anti-bonding，比较直观和相对简单的方法，可以看 ...

形状来判断？简单说明一下可以不？举个例子也可以 谢谢
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5楼2012-08-17 06:34:57
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
WDD880227: 金币+1, 谢谢指教 2012-08-18 08:54:21
内层反键也可能出现在费米能级以下。

外层反键轨道如果是空的，就在费米能级以上。也可能就在费米能级下面一点点。比如O2或者O2(1-)，或者O2(2-).
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6楼2012-08-17 14:10:28
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主

【答案】应助回帖

★
WDD880227: 金币+1, 多谢提示 2012-08-20 09:55:48
不能从形状上区分成键轨道和反键轨道~
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7楼2012-08-17 14:11:05
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hwceng0816

木虫 (著名写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by cenwanglai at 2012-08-17 14:10:28
内层反键也可能出现在费米能级以下。

外层反键轨道如果是空的，就在费米能级以上。也可能就在费米能级下面一点点。比如O2或者O2(1-)，或者O2(2-).

看来只能是具体问题具体分析了对吧 以后算出来了再请教你吧
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8楼2012-08-17 14:56:33
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