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hwceng0816

木虫 (著名写手)

[求助] 态密度成键与反键 已有1人参与

态密度图可以看出成键区与反键区吗？
是不是费米能级一下是成键区，以上是反键区？懂得帮忙解释一下。谢谢！
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1楼 2012-08-15 16:32:04
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hwceng0816

木虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by souledge at 2012-08-15 17:33:00
想看成键和反键轨道，最好用基于obital的basis set，比如各种LMTO，LCAO之类的COOP或者COHP分析。当然，像Gaussian那样用各种obital basis set的就更没问题了。
至于费米能级，100%不是分界线。并且在晶体中，正反 ...

你说的那些分析我都没听过，我用的是CASTEP计算得到的 文献上说低能成键区  高能反键区  不是很懂 这方面的理论没学
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3楼2012-08-15 18:26:30
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souledge

专家顾问 (著名写手)
★ ★
franch: 金币+2, 专家考核, 谢谢回帖交流 2012-08-16 01:01:32
想看成键和反键轨道，最好用基于obital的basis set，比如各种LMTO，LCAO之类的COOP或者COHP分析。当然，像Gaussian那样用各种obital basis set的就更没问题了。
至于费米能级，100%不是分界线。并且在晶体中，正反键可能有会有局部重叠。
至于为什么不是，LZ自己仔细读一读Fermi Level的定义，还有正反键的定义就该清楚了。或者，LZ现在能否清楚的说出什么是Fermi Level，什么是bonding和anti-bonding呢？
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思想重于技巧，内涵重于表象
2楼2012-08-15 17:33:00
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成广

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
WDD880227: 金币+1, 谢谢提示 2012-08-17 08:41:57
费米能级来区分bonding 和anti-bonding，这完全不是一回事，但是一般的，vbm为bonding states，cbm为anti-bonding states，当然不是这种情况的材料很多，看bonding和anti-bonding，比较直观和相对简单的方法，可以看看键上的charge density，由形状来判断。
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4楼2012-08-17 00:48:16
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hwceng0816

木虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 成广 at 2012-08-17 00:48:16
费米能级来区分bonding 和anti-bonding，这完全不是一回事，但是一般的，vbm为bonding states，cbm为anti-bonding states，当然不是这种情况的材料很多，看bonding和anti-bonding，比较直观和相对简单的方法，可以看 ...

形状来判断？简单说明一下可以不？举个例子也可以 谢谢
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5楼2012-08-17 06:34:57
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