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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 态密度成键与反键
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hwceng0816

木虫 (著名写手)

[求助] 态密度成键与反键 已有1人参与

态密度图可以看出成键区与反键区吗？
是不是费米能级一下是成键区，以上是反键区？懂得帮忙解释一下。谢谢！
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1楼 2012-08-15 16:32:04
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hwceng0816

木虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by souledge at 2012-08-15 17:33:00
想看成键和反键轨道，最好用基于obital的basis set，比如各种LMTO，LCAO之类的COOP或者COHP分析。当然，像Gaussian那样用各种obital basis set的就更没问题了。
至于费米能级，100%不是分界线。并且在晶体中，正反 ...

你说的那些分析我都没听过，我用的是CASTEP计算得到的 文献上说低能成键区  高能反键区  不是很懂 这方面的理论没学
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3楼2012-08-15 18:26:30
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hwceng0816

木虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 成广 at 2012-08-17 00:48:16
费米能级来区分bonding 和anti-bonding，这完全不是一回事，但是一般的，vbm为bonding states，cbm为anti-bonding states，当然不是这种情况的材料很多，看bonding和anti-bonding，比较直观和相对简单的方法，可以看 ...

形状来判断？简单说明一下可以不？举个例子也可以 谢谢
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5楼2012-08-17 06:34:57
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hwceng0816

木虫 (著名写手)
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6楼: Originally posted by cenwanglai at 2012-08-17 14:10:28
内层反键也可能出现在费米能级以下。

外层反键轨道如果是空的，就在费米能级以上。也可能就在费米能级下面一点点。比如O2或者O2(1-)，或者O2(2-).

看来只能是具体问题具体分析了对吧 以后算出来了再请教你吧
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8楼2012-08-17 14:56:33
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hwceng0816

木虫 (著名写手)
引用回帖:
11楼: Originally posted by souledge at 2012-08-18 14:34:35
对于导体，有个近似的形状划分方法，就是找pseudo-gap～一般认为pseudo-gap的位置与正反键交界处相同～...

pseudo-gap  这个一直没有一个确切的说法 文献也说的很含糊
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12楼2012-08-18 15:36:04
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