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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 【讨论】ICP 和RIE的区别～
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darren21

金虫 (正式写手)

[交流] 【讨论】ICP 和RIE的区别～ 已有1人参与

大家可以畅所欲言
ICP:Inductive Coupled Plasma
RIE: Reactive Ion Etching
从设备结构上ICP比RIE多了一个RF，其他机理上的区别大家可以继续讨论！
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1楼 2010-09-21 10:34:24
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

apolloljy

银虫 (小有名气)
★
darren21(金币+5):谢谢讨论！ 2010-09-21 12:31:41
yunruirui(金币+1):谢谢交流，欢迎常来 2010-09-21 17:28:11
ICP刻蚀，多了一个RF，其中环形RF用于产生交变电场，当电压足够高时，气体产生放电进入等离子态，而通过交变的电磁场使等离子体中电子路径改变，增加了等离子体密度。而另一个RF的作用与RIE中的类似，即为偏置电压，给等离子体提供能量，使其垂直作用于基片，进行刻蚀。
ICP正是多了这样一个RF，使得其腔体内等离子体密度要比RIE中高很多，产生的物种也多很多，例如活性游离基、亚稳态粒子、原子等，ICP刻蚀包含了物理和化学等复杂过程；RIE中仅为少量的电离的粒子，能量不高，与基底反应性差。
因此采用ICP刻蚀相对于RIE控制精度高，选择比好，刻蚀均匀性好，且污染较少，刻蚀的垂直度和光洁度较高。
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2楼2010-09-21 11:37:54
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darren21

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by apolloljy at 2010-09-21 11:37:54:
ICP刻蚀，多了一个RF，其中环形RF用于产生交变电场，当电压足够高时，气体产生放电进入等离子态，而通过交变的电磁场使等离子体中电子路径改变，增加了等离子体密度。而另一个RF的作用与RIE中的类似，即为偏置电压 ...

RIE中的RF是产生偏置电压，那等离子体是如何产生的？
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3楼2010-09-21 12:36:25
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apolloljy

银虫 (小有名气)
darren21(金币+5): 2010-09-21 20:27:41
不好意思没有说清楚，RIE中的等离子体也是通过其中的RF产生的，由于仪器的功率电极为阴极，待腐蚀的基片放置于功率电极上，由于阴极附近的电场方向垂直于阴极表面，因此等离子体中带电粒子可以在一定电压下垂直打向样品表面。但是相对于ICP来说，RIE的选择性还是不够，原因呢就在于其等离子体浓度不够高
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4楼2010-09-21 18:37:42
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霸王

木虫 (著名写手)
哪个设备贵？
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阿弥陀佛
5楼2012-10-08 15:59:10
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dzcl11

铜虫 (小有名气)
★
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引用回帖:
2410272楼: Originally posted by 霸王 at 2012-10-08 15:59:10
哪个设备贵？

一般的是ICP贵。但也要看具体厂家的
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6楼2012-10-09 13:51:28
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ging1990

金虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
想请问下，要获得具有较高深宽比的沟槽，那在可是过程中，RIE和ICP的功率应该怎么分配呢？ 谁占主导呢？
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7楼2014-09-01 22:23:38
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pptang

荣誉版主 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
7楼: Originally posted by ging1990 at 2014-09-01 22:23:38
想请问下，要获得具有较高深宽比的沟槽，那在可是过程中，RIE和ICP的功率应该怎么分配呢？ 谁占主导呢？

CCP 低气压，低高频功率，高低频功率，重polymer的气体
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您的支持，是我的动力！！！
8楼2015-02-09 10:11:40
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帅气的路哥

银虫 (正式写手)
解惑了，谢谢
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静以修身，俭以养德。
9楼2015-02-10 09:27:00
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Vimon

铜虫 (正式写手)
解惑
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10楼2015-10-20 10:39:30
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