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darren21

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[交流] 【讨论】ICP 和RIE的区别～已有1人参与

大家可以畅所欲言
ICP:Inductive Coupled Plasma
RIE: Reactive Ion Etching
从设备结构上ICP比RIE多了一个RF，其他机理上的区别大家可以继续讨论！

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1楼 2010-09-21 10:34:24

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apolloljy

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★
darren21(金币+5):谢谢讨论！ 2010-09-21 12:31:41
yunruirui(金币+1):谢谢交流，欢迎常来 2010-09-21 17:28:11

ICP刻蚀，多了一个RF，其中环形RF用于产生交变电场，当电压足够高时，气体产生放电进入等离子态，而通过交变的电磁场使等离子体中电子路径改变，增加了等离子体密度。而另一个RF的作用与RIE中的类似，即为偏置电压，给等离子体提供能量，使其垂直作用于基片，进行刻蚀。
ICP正是多了这样一个RF，使得其腔体内等离子体密度要比RIE中高很多，产生的物种也多很多，例如活性游离基、亚稳态粒子、原子等，ICP刻蚀包含了物理和化学等复杂过程；RIE中仅为少量的电离的粒子，能量不高，与基底反应性差。
因此采用ICP刻蚀相对于RIE控制精度高，选择比好，刻蚀均匀性好，且污染较少，刻蚀的垂直度和光洁度较高。

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2楼2010-09-21 11:37:54

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darren21

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引用回帖:

Originally posted by apolloljy at 2010-09-21 11:37:54:
ICP刻蚀，多了一个RF，其中环形RF用于产生交变电场，当电压足够高时，气体产生放电进入等离子态，而通过交变的电磁场使等离子体中电子路径改变，增加了等离子体密度。而另一个RF的作用与RIE中的类似，即为偏置电压 ...

RIE中的RF是产生偏置电压，那等离子体是如何产生的？

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3楼2010-09-21 12:36:25

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