24小时热门版块排行榜

返回列表

darren21

金虫 (正式写手)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 785.1
散金: 10
帖子: 658
在线: 67.9小时
虫号: 635241
注册: 2008-10-24
性别: GG
专业: 半导体材料

[交流] 【讨论】ICP 和RIE的区别～已有1人参与

大家可以畅所欲言
ICP:Inductive Coupled Plasma
RIE: Reactive Ion Etching
从设备结构上ICP比RIE多了一个RF，其他机理上的区别大家可以继续讨论！

回复此楼

» 猜你喜欢

请问对标matlab的开源软件octave的网站https://octave.org为什么打不开？已经有1人回复
求助两种BiOBr晶体的CIF文件（卡片号为JCPDS 09-0393与JCPDS 01-1004 ）已经有0人回复
无机化学论文润色/翻译怎么收费? 已经有111人回复
哈尔滨工程大学材化学院国家级青年人才-26年硕士招生已经有0人回复

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:

化学化工区高分子版风云人物之荣誉版主篇-----薰衣草儿已经有14人回复

1楼 2010-09-21 10:34:24

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

apolloljy

银虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 90.2
散金: 5
帖子: 94
在线: 41小时
虫号: 928860
注册: 2009-12-15
性别: GG
专业: 微/纳机械系统

★
darren21(金币+5):谢谢讨论！ 2010-09-21 12:31:41
yunruirui(金币+1):谢谢交流，欢迎常来 2010-09-21 17:28:11

ICP刻蚀，多了一个RF，其中环形RF用于产生交变电场，当电压足够高时，气体产生放电进入等离子态，而通过交变的电磁场使等离子体中电子路径改变，增加了等离子体密度。而另一个RF的作用与RIE中的类似，即为偏置电压，给等离子体提供能量，使其垂直作用于基片，进行刻蚀。
ICP正是多了这样一个RF，使得其腔体内等离子体密度要比RIE中高很多，产生的物种也多很多，例如活性游离基、亚稳态粒子、原子等，ICP刻蚀包含了物理和化学等复杂过程；RIE中仅为少量的电离的粒子，能量不高，与基底反应性差。
因此采用ICP刻蚀相对于RIE控制精度高，选择比好，刻蚀均匀性好，且污染较少，刻蚀的垂直度和光洁度较高。

赞一下(4人)

回复此楼

2楼2010-09-21 11:37:54

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

普通回帖

darren21

金虫 (正式写手)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 785.1
散金: 10
帖子: 658
在线: 67.9小时
虫号: 635241
注册: 2008-10-24
性别: GG
专业: 半导体材料

引用回帖:

Originally posted by apolloljy at 2010-09-21 11:37:54:
ICP刻蚀，多了一个RF，其中环形RF用于产生交变电场，当电压足够高时，气体产生放电进入等离子态，而通过交变的电磁场使等离子体中电子路径改变，增加了等离子体密度。而另一个RF的作用与RIE中的类似，即为偏置电压 ...

RIE中的RF是产生偏置电压，那等离子体是如何产生的？

赞一下

回复此楼

3楼2010-09-21 12:36:25

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖