| 查看: 7093 | 回复: 10 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
darren21金虫 (正式写手)
|
[交流]
【讨论】ICP 和RIE的区别～ 已有1人参与
|
|
|
大家可以畅所欲言 ICP:Inductive Coupled Plasma RIE: Reactive Ion Etching 从设备结构上ICP比RIE多了一个RF，其他机理上的区别大家可以继续讨论！ |
回复此楼
pptang
荣誉版主 (著名写手)
- 应助: 11 (小学生)
- 贵宾: 3.85
- 金币: 1852.9
- 散金: 3463
- 红花: 4
- 帖子: 2336
- 在线: 332.2小时
- 虫号: 67
- 注册: 2003-03-01
- 性别: GG
- 专业: 电工材料特性及其应用
- 管辖: 论文翻译
8楼2015-02-09 10:11:40
apolloljy
银虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 90.2
- 散金: 5
- 帖子: 94
- 在线: 41小时
- 虫号: 928860
- 注册: 2009-12-15
- 性别: GG
- 专业: 微/纳机械系统
★
darren21(金币+5):谢谢讨论！ 2010-09-21 12:31:41
yunruirui(金币+1):谢谢交流，欢迎常来 2010-09-21 17:28:11
darren21(金币+5):谢谢讨论！ 2010-09-21 12:31:41
yunruirui(金币+1):谢谢交流，欢迎常来 2010-09-21 17:28:11
|
ICP刻蚀，多了一个RF，其中环形RF用于产生交变电场，当电压足够高时，气体产生放电进入等离子态，而通过交变的电磁场使等离子体中电子路径改变，增加了等离子体密度。而另一个RF的作用与RIE中的类似，即为偏置电压，给等离子体提供能量，使其垂直作用于基片，进行刻蚀。 ICP正是多了这样一个RF，使得其腔体内等离子体密度要比RIE中高很多，产生的物种也多很多，例如活性游离基、亚稳态粒子、原子等，ICP刻蚀包含了物理和化学等复杂过程；RIE中仅为少量的电离的粒子，能量不高，与基底反应性差。 因此采用ICP刻蚀相对于RIE控制精度高，选择比好，刻蚀均匀性好，且污染较少，刻蚀的垂直度和光洁度较高。 |
2楼2010-09-21 11:37:54
darren21
金虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 785.1
- 散金: 10
- 帖子: 658
- 在线: 67.9小时
- 虫号: 635241
- 注册: 2008-10-24
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
3楼2010-09-21 12:36:25
apolloljy
银虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 90.2
- 散金: 5
- 帖子: 94
- 在线: 41小时
- 虫号: 928860
- 注册: 2009-12-15
- 性别: GG
- 专业: 微/纳机械系统
4楼2010-09-21 18:37:42
投票:
30