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汕头大学海洋科学接受调剂
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darren21

金虫 (正式写手)

[交流] 【讨论】ICP 和RIE的区别~ 已有1人参与

大家可以畅所欲言
ICP:Inductive Coupled Plasma
RIE: Reactive Ion Etching
从设备结构上ICP比RIE多了一个RF,其他机理上的区别大家可以继续讨论!
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apolloljy

银虫 (小有名气)

darren21(金币+5): 2010-09-21 20:27:41
不好意思没有说清楚,RIE中的等离子体也是通过其中的RF产生的,由于仪器的功率电极为阴极,待腐蚀的基片放置于功率电极上,由于阴极附近的电场方向垂直于阴极表面,因此等离子体中带电粒子可以在一定电压下垂直打向样品表面。但是相对于ICP来说,RIE的选择性还是不够,原因呢就在于其等离子体浓度不够高
4楼2010-09-21 18:37:42
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apolloljy

银虫 (小有名气)


darren21(金币+5):谢谢讨论! 2010-09-21 12:31:41
yunruirui(金币+1):谢谢交流,欢迎常来 2010-09-21 17:28:11
ICP刻蚀,多了一个RF,其中环形RF用于产生交变电场,当电压足够高时,气体产生放电进入等离子态,而通过交变的电磁场使等离子体中电子路径改变,增加了等离子体密度。而另一个RF的作用与RIE中的类似,即为偏置电压,给等离子体提供能量,使其垂直作用于基片,进行刻蚀。
ICP正是多了这样一个RF,使得其腔体内等离子体密度要比RIE中高很多,产生的物种也多很多,例如活性游离基、亚稳态粒子、原子等,ICP刻蚀包含了物理和化学等复杂过程;RIE中仅为少量的电离的粒子,能量不高,与基底反应性差。
因此采用ICP刻蚀相对于RIE控制精度高,选择比好,刻蚀均匀性好,且污染较少,刻蚀的垂直度和光洁度较高。
2楼2010-09-21 11:37:54
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darren21

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by apolloljy at 2010-09-21 11:37:54:
ICP刻蚀,多了一个RF,其中环形RF用于产生交变电场,当电压足够高时,气体产生放电进入等离子态,而通过交变的电磁场使等离子体中电子路径改变,增加了等离子体密度。而另一个RF的作用与RIE中的类似,即为偏置电压 ...

RIE中的RF是产生偏置电压,那等离子体是如何产生的?
3楼2010-09-21 12:36:25
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dzcl11

铜虫 (小有名气)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
2410272楼: Originally posted by 霸王 at 2012-10-08 15:59:10
哪个设备贵?

一般的是ICP贵。但也要看具体厂家的
6楼2012-10-09 13:51:28
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