Originally posted by 在自己的王国 at 2010-08-30 10:25:54:

这个我不太清楚，没看过相关的文献，不过P型硅线最好的欧姆接触金属应该是Au，我们这边做一般都是垫一层很薄的Ti以提高粘附性

Originally posted by 在自己的王国 at 2010-08-28 10:49:13:
你用AgNO3和HF在硅片上刻蚀出来的硅线应该是P型的，所以源漏电极应该用Au，或者为了提高电极粘附性用Ti/Au，但是Ti的厚度不应该太厚

[ Last edited by 在自己的王国 on 2010-8-28 at 10:55 ]

Originally posted by seebay6271 at 2010-08-31 11:25:40:
你看杨沛东的文章，p型硅用Pt，n型硅用Ag。。
Au能级在Si带隙中间。。。一般认为是缺陷能级，尽量避免用Au。max-planck institure of microstructure physics的senz在nature materials上发过一篇单纯讲硅线生长的 ...

Originally posted by icytide at 2010-08-31 13:57:43:
我好像也得到不导电的结果。我是用AgNO3+HF的方法etch heavily doped silicon wafer，然后试着测量了一下表面导电性，结果极差！

我认为原因可能是此法做出的silicon nanowire很细，本身径向导电性就不好。再加 ...

Originally posted by hitian88 at 2010-09-03 16:15:11:
你导电性是如何测的？最大量程多大？
单根纳米线TFT的电流本来就应该很小，你测不出来应该正常吧。可以先测测性能。

Originally posted by hitian88 at 2010-09-09 19:43:15:
看电镜没有？？？正常吗？
最好看下电镜，看是不是那样。至于加gate没有反应，这个就麻烦了。可能是栅没有做好，漏电。