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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 【求助】硅纳米线transistor
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FANYU

新虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】硅纳米线transistor 已有14人参与

请问有人用硅纳米线作过FET么？为什么我用E-beam铺上钛和金作source/drain之后用万能表去量不导电？我的纳米线是用AgNO3和HF在硅片上刻蚀出来的，钛金厚度是70/80纳米。

谢谢
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1楼 2010-08-25 17:29:12
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seebay6271

新虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
你看杨沛东的文章，p型硅用Pt，n型硅用Ag。。
Au能级在Si带隙中间。。。一般认为是缺陷能级，尽量避免用Au。max-planck institure of microstructure physics的senz在nature materials上发过一篇单纯讲硅线生长的文章，卖点就是不用Au做催化剂。。
引用回帖:
Originally posted by 在自己的王国 at 2010-08-30 10:25:54:

这个我不太清楚，没看过相关的文献，不过P型硅线最好的欧姆接触金属应该是Au，我们这边做一般都是垫一层很薄的Ti以提高粘附性

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21楼2010-08-31 11:25:40
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seebay6271

新虫 (小有名气)
★
nuaajsh(金币+1):鼓励交流 2010-09-09 22:08:23
【用AgNO3和HF在硅片上刻蚀出来的硅线应该是P型的】这个说法有问题，Peng Kuiqing的文献的应该了解到，腐蚀出来的硅线的掺杂类型明显是跟原始硅片的掺杂类型有关：n型硅片腐蚀出n型纳米线，p型硅腐蚀出p型纳米线。
引用回帖:
Originally posted by 在自己的王国 at 2010-08-28 10:49:13:
你用AgNO3和HF在硅片上刻蚀出来的硅线应该是P型的，所以源漏电极应该用Au，或者为了提高电极粘附性用Ti/Au，但是Ti的厚度不应该太厚

[ Last edited by 在自己的王国 on 2010-8-28 at 10:55 ]

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22楼2010-08-31 11:27:27
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