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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 【求助】硅纳米线transistor
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xiao7

银虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
Ag刻蚀，港城大李述汤组前几年搞过很多。
硅导电是不是太差了呀，万用表也就量到uA级吧，如果硅线太细，恐怕得到pA的电表才行。
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11楼2010-08-26 13:03:37
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lostpast

铁虫 (小有名气)
★
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Originally posted by FANYU at 2010-08-26 10:03:35:

晕，你可以去查一下，02年还是04年北大一个组发在adv material上的。

查到了，是清华大学材料系朱静院士课题组2002年Kui
-Qing Peng发表的。跟北大没有什么关系

[ Last edited by lostpast on 2010-8-26 at 13:32 ]
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12楼2010-08-26 13:27:18
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FANYU

新虫 (初入文坛)
[quote]Originally posted by lostpast at 2010-08-26 13:27:18:

查到了，是清华大学材料系朱静院士课题组2002年Kui
-Qing Peng发表的。跟北大没有什么关系

[ Last edited by lostpast on 2010-8-26 at 13:32 ] [/quote}
哦，对，好象是叫这个名字。是清华的呀，记错了。
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13楼2010-08-26 15:52:35
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FANYU

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
Originally posted by xiao7 at 2010-08-26 13:03:37:
Ag刻蚀，港城大李述汤组前几年搞过很多。
硅导电是不是太差了呀，万用表也就量到uA级吧，如果硅线太细，恐怕得到pA的电表才行。

硅是掺杂过的，导电性不低。如果硅线太粗了作E-BEAM很难把硅线都盖住，这样的话contact的阻值会更高吧。
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14楼2010-08-26 15:54:26
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dianziwei

金虫 (小有名气)
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有意思！！！
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逆水行舟，不进则退！
15楼2010-08-28 10:31:27
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在自己的王国

铁杆木虫 (正式写手)
★
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你用AgNO3和HF在硅片上刻蚀出来的硅线应该是P型的，所以源漏电极应该用Au，或者为了提高电极粘附性用Ti/Au，但是Ti的厚度不应该太厚

[ Last edited by 在自己的王国 on 2010-8-28 at 10:55 ]
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16楼2010-08-28 10:49:13
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FANYU

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
Originally posted by 在自己的王国 at 2010-08-28 10:49:13:
你用AgNO3和HF在硅片上刻蚀出来的硅线应该是P型的，所以源漏电极应该用Au，或者为了提高电极粘附性用Ti/Au，但是Ti的厚度不应该太厚

[ Last edited by 在自己的王国 on 2010-8-28 at 10:55 ]

这个我也考虑过了，但是我看文献上的都是用很厚的Ti把纳米线盖住，再铺一层Au，因为annealing的时候Ti会和Si反应形成silicide提高接触性能。
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17楼2010-08-30 09:57:37
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在自己的王国

铁杆木虫 (正式写手)
★
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引用回帖:
Originally posted by FANYU at 2010-08-30 09:57:37:

这个我也考虑过了，但是我看文献上的都是用很厚的Ti把纳米线盖住，再铺一层Au，因为annealing的时候Ti会和Si反应形成silicide提高接触性能。

这个我不太清楚，没看过相关的文献，不过P型硅线最好的欧姆接触金属应该是Au，我们这边做一般都是垫一层很薄的Ti以提高粘附性
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18楼2010-08-30 10:25:54
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FANYU

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
Originally posted by 在自己的王国 at 2010-08-30 10:25:54:

这个我不太清楚，没看过相关的文献，不过P型硅线最好的欧姆接触金属应该是Au，我们这边做一般都是垫一层很薄的Ti以提高粘附性

呵呵，好的，谢谢了，那我把Ti铺薄点试试。
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19楼2010-08-30 18:25:22
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FANYU

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
Originally posted by 在自己的王国 at 2010-08-30 10:25:54:

这个我不太清楚，没看过相关的文献，不过P型硅线最好的欧姆接触金属应该是Au，我们这边做一般都是垫一层很薄的Ti以提高粘附性

请问你们铺完金属之后粹火一般用多少度多久？
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20楼2010-08-31 10:44:45
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