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【求助】负载活性组分后强度反而降低了,为什么?
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Tracy-Trace
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【求助】负载活性组分后强度反而降低了,为什么?
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载体是自己制备的,负载活性组分之后干燥焙烧,强度反而降低了,为什么呢?
对了,在测试载体吸水性后,这些载体就变得易碎。我应该怎么改进制备方法呢?
[
Last edited by Tracy-Trace on 2010-6-7 at 10:05
]
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2010-06-07 10:01:50
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是做XRD强度降低么,有没有活性组分的衍射峰出现?
最好写出你用得什么载体和煅烧温度,我怀疑是你煅烧温度过高造成晶体团聚而使结晶度降低,假如是分子筛的话,负载活性组份量过大也会造成孔道堵塞衍射强度降低
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2010-06-07 10:59:09
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测一下酸性。也许你负载的物质根本没有发挥作用,反而覆盖了原有的活性位。
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2010-06-07 13:10:29
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sunboy3791
at 2010-06-07 13:10:29:
测一下酸性。也许你负载的物质根本没有发挥作用,反而覆盖了原有的活性位。
请教下,您的意思是酸性就能反应活性位么?
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走自己的路,让别人无路可走,这句话真无耻
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2010-06-07 18:40:24
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20090779
at 2010-06-07 18:40:24:
请教下,您的意思是酸性就能反应活性位么?
你做的是什么类型的反应,大概的反应机理知道吗,是金属催化还是酸催化。如果是金属催化你还原了没有?如果是酸催化你真的有必要测一下酸性,如果是金属催化你看看你的金属是否有催化效果
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2010-06-08 09:24:46
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sunboy3791
at 2010-06-08 09:24:46:
你做的是什么类型的反应,大概的反应机理知道吗,是金属催化还是酸催化。如果是金属催化你还原了没有?如果是酸催化你真的有必要测一下酸性,如果是金属催化你看看你的金属是否有催化效果
我明白你的意思了,实际上你指的酸位显示活性仅限于活性组分为金属氧化物
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走自己的路,让别人无路可走,这句话真无耻
6楼
2010-06-08 10:40:09
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elias002
at 2010-06-07 10:59:09:
是做XRD强度降低么,有没有活性组分的衍射峰出现?
最好写出你用得什么载体和煅烧温度,我怀疑是你煅烧温度过高造成晶体团聚而使结晶度降低,假如是分子筛的话,负载活性组份量过大也会造成孔道堵塞衍射强度降低
我说的强度不是指XRD衍射峰的强度,而是径向抗压碎强度。我用的是镁铝尖晶石载体,可能焙烧的温度不够高。升高焙烧温度后,再浸渍活性组分,还是有强度下降的现象,但是有所缓解。
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8楼
2010-06-11 10:52:08
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Tracy-Trace
at 2010-06-11 10:52:08:
我说的强度不是指XRD衍射峰的强度,而是径向抗压碎强度。我用的是镁铝尖晶石载体,可能焙烧的温度不够高。升高焙烧温度后,再浸渍活性组分,还是有强度下降的现象,但是有所缓解。
整体的?dip-coating?
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jinkai838
at 2010-06-11 13:01:15:
整体的?dip-coating?
等量浸渍
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