[交流] 【求助】负载活性组分后强度反而降低了，为什么？已有6人参与

Originally posted by sunboy3791 at 2010-06-07 13:10:29:
测一下酸性。也许你负载的物质根本没有发挥作用，反而覆盖了原有的活性位。

Originally posted by 20090779 at 2010-06-07 18:40:24:

请教下，您的意思是酸性就能反应活性位么？

Originally posted by sunboy3791 at 2010-06-08 09:24:46:

你做的是什么类型的反应，大概的反应机理知道吗，是金属催化还是酸催化。如果是金属催化你还原了没有？如果是酸催化你真的有必要测一下酸性，如果是金属催化你看看你的金属是否有催化效果

Originally posted by elias002 at 2010-06-07 10:59:09:
是做XRD强度降低么，有没有活性组分的衍射峰出现？
最好写出你用得什么载体和煅烧温度，我怀疑是你煅烧温度过高造成晶体团聚而使结晶度降低，假如是分子筛的话，负载活性组份量过大也会造成孔道堵塞衍射强度降低

Originally posted by Tracy-Trace at 2010-06-11 10:52:08:

我说的强度不是指XRD衍射峰的强度，而是径向抗压碎强度。我用的是镁铝尖晶石载体，可能焙烧的温度不够高。升高焙烧温度后，再浸渍活性组分，还是有强度下降的现象，但是有所缓解。

Originally posted by jinkai838 at 2010-06-11 13:01:15:

整体的？dip-coating？