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【求助】氧空位缺陷降低了功函数如何做出定性的解释
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最近一个试验现象,发现氧空位缺陷降低了功函数,能否请教大家如何做出定性的解释。谢谢 [ Last edited by ddx-k on 2009-10-12 at 20:58 ] |
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ppjason
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2楼2009-10-06 17:25:15
djt
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3楼2009-10-06 17:54:16
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我给你说一个简单的解释。 功函数的定义是W=E0-Ef,其中,E0是真空能级,Ef是费米能级。如果W降低,很显然是Ef增大了,或者说,升高了。 对于体系存在O原子,O原子(或O离子)在固体中形成的是离子键(当然也可能会有共价成分),但不管怎么说,都是把电子(包括O本身的电子和其他电负性比较低的原子电子)定域在O离子周围。当出现O空位,其所束缚的其他原子电子就被释放出来了。这个相当于在体系中掺入了N型施主杂志来释放电子。而体系电子多了,费米能级就会相应的上升,也就是升高了。换句话说,W减少了。 以上是体相的情况。如果是表面,可能还有费米针扎效应等等,而且理论上的说法并不统一。表面问题很复杂,就不多说了。 ![]() |
6楼2009-10-07 10:48:22
7楼2009-10-07 16:44:33
yjyang07
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8楼2009-10-13 08:30:15
yuminglang
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9楼2009-10-15 13:57:17
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bosezi(金币+1):谢谢参与
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各位关于功函数的理解,感觉还有些问题。 功函数主要是表面特性。取决于表面真空能级与费米能级的差。费米能级的变化是一方面,更重要的表面真空能级的变化。也就是表面偶极层的变化导致了功函数的变化。所以应重点考虑表面氧空位。 至于判断O是施主,很武断。另外施主导致费米能级上升也是值得商榷的事情。 大家多多讨论交流。 zha_gq@hotmail.com |
10楼2009-10-16 10:33:43













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