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bosezi

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】氧空位缺陷降低了功函数如何做出定性的解释

最近一个试验现象,发现氧空位缺陷降低了功函数,能否请教大家如何做出定性的解释。谢谢

[ Last edited by ddx-k on 2009-10-12 at 20:58 ]
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tan-tt

木虫 (小有名气)


bosezi(金币+1):谢谢参与
各位关于功函数的理解,感觉还有些问题。
功函数主要是表面特性。取决于表面真空能级与费米能级的差。费米能级的变化是一方面,更重要的表面真空能级的变化。也就是表面偶极层的变化导致了功函数的变化。所以应重点考虑表面氧空位。

至于判断O是施主,很武断。另外施主导致费米能级上升也是值得商榷的事情。

大家多多讨论交流。  zha_gq@hotmail.com
10楼2009-10-16 10:33:43
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tan-tt

木虫 (小有名气)


小木虫:)(金币+1,VIP+0):3x 10-16 16:18
另外,功函数看是用什么方法测得的?UPS,还是开尔文探针?

功函数降低应该是因为,表面的O空位缺陷破坏了原来的表面电偶极层。相关的基本的解释,推荐一篇文章,这里面讲得比较透彻。
D. Cahen and A. Kahn, "Electron Energetics at Surfaces and Interfaces:Concepts and. Experiments", Advanced Materials vol. 15 (2003) p. 271
11楼2009-10-16 10:46:45
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