| 查看: 2115 | 回复: 14 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
【求助】氧空位缺陷降低了功函数如何做出定性的解释
|
|||
|
最近一个试验现象，发现氧空位缺陷降低了功函数，能否请教大家如何做出定性的解释。谢谢 [ Last edited by ddx-k on 2009-10-12 at 20:58 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
烦躁
已经有8人回复
-
入职后第一次管课题组的专利缴费，对账才发现官费比别人多掏了一倍
已经有3人回复
-
各位大佬，路线设计求助
已经有7人回复
-
我应该选哪条合成路线让实验成功率高一些？
已经有4人回复
tan-tt
木虫 (小有名气)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 4367.6
- 散金: 51
- 红花: 2
- 帖子: 230
- 在线: 131.3小时
- 虫号: 589937
- 注册: 2008-08-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料物理与器件
★
bosezi(金币+1):谢谢参与
bosezi(金币+1):谢谢参与
|
各位关于功函数的理解，感觉还有些问题。 功函数主要是表面特性。取决于表面真空能级与费米能级的差。费米能级的变化是一方面，更重要的表面真空能级的变化。也就是表面偶极层的变化导致了功函数的变化。所以应重点考虑表面氧空位。 至于判断O是施主，很武断。另外施主导致费米能级上升也是值得商榷的事情。 大家多多讨论交流。 zha_gq@hotmail.com |
10楼2009-10-16 10:33:43
tan-tt
木虫 (小有名气)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 4367.6
- 散金: 51
- 红花: 2
- 帖子: 230
- 在线: 131.3小时
- 虫号: 589937
- 注册: 2008-08-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料物理与器件
11楼2009-10-16 10:46:45