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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 【求助】氧空位缺陷降低了功函数如何做出定性的解释
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bosezi

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】氧空位缺陷降低了功函数如何做出定性的解释

最近一个试验现象，发现氧空位缺陷降低了功函数，能否请教大家如何做出定性的解释。谢谢

[ Last edited by ddx-k on 2009-10-12 at 20:58 ]
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1楼 2009-10-06 17:17:03
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ppjason

木虫 (正式写手)

Nothing is final！
★
bosezi(金币+1):谢谢参与
建议看看热力学与统计物理，加上固体物理的相关内容应该能清楚
赞一下(1人) 回复此楼
非线性，混沌，玻色爱因斯坦凝聚。
2楼2009-10-06 17:25:15
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djt

铁杆木虫 (正式写手)
★
bosezi(金币+1):谢谢参与
共同学习一下吧
定性分析 按理说比较容易
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3楼2009-10-06 17:54:16
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bosezi

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by ppjason at 2009-10-6 17:25:
建议看看热力学与统计物理，加上固体物理的相关内容应该能清楚

还忘多多指教阿
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4楼2009-10-06 18:21:28
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bosezi

木虫 (正式写手)
自己顶一下，还望大家帮忙啊
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5楼2009-10-07 10:07:10
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人
★ ★ ★
bosezi(金币+1):谢谢参与
ddx-k(金币+1,VIP+0):xxx 10-7 18:15
tongling921(金币+1):3x 2010-02-19 22:13
我给你说一个简单的解释。
功函数的定义是W=E0-Ef，其中，E0是真空能级，Ef是费米能级。如果W降低，很显然是Ef增大了，或者说，升高了。
对于体系存在O原子，O原子（或O离子）在固体中形成的是离子键（当然也可能会有共价成分），但不管怎么说，都是把电子（包括O本身的电子和其他电负性比较低的原子电子）定域在O离子周围。当出现O空位，其所束缚的其他原子电子就被释放出来了。这个相当于在体系中掺入了N型施主杂志来释放电子。而体系电子多了，费米能级就会相应的上升，也就是升高了。换句话说，W减少了。

以上是体相的情况。如果是表面，可能还有费米针扎效应等等，而且理论上的说法并不统一。表面问题很复杂，就不多说了。
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6楼2009-10-07 10:48:22
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bosezi

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by yzcluster at 2009-10-7 10:48:
我给你说一个简单的解释。
功函数的定义是W=E0-Ef，其中，E0是真空能级，Ef是费米能级。如果W降低，很显然是Ef增大了，或者说，升高了。
对于体系存在O原子，O原子（或O离子）在固体中形成的是离子键（当然也可 ...

能否这样理解：n型半导体中O空位的缺陷使功函数减小（掺杂效应），那如果样品为p型，则会是功函数变大

另外可否请yzcluster讲讲pinning effect. 这个应该不会影响功函吧？
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7楼2009-10-07 16:44:33
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yjyang07

木虫 (著名写手)
★
bosezi(金币+1):谢谢参与
学习了  很好啊
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天行健，君子以自强不息～～～～～
8楼2009-10-13 08:30:15
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yuminglang

金虫 (小有名气)
★ ★
bosezi(金币+1):谢谢参与
小木虫:)(金币+1,VIP+0):3x 10-15 15:10
氧空穴的 形成  就在体系中就会有多余的电子出现  相当于 N 型半导体 中  掺杂施主离子     这样 就会提高费米能及  （半导体物理里面有）   也就是降低功函数
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9楼2009-10-15 13:57:17
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tan-tt

木虫 (小有名气)
★
bosezi(金币+1):谢谢参与
各位关于功函数的理解，感觉还有些问题。
功函数主要是表面特性。取决于表面真空能级与费米能级的差。费米能级的变化是一方面，更重要的表面真空能级的变化。也就是表面偶极层的变化导致了功函数的变化。所以应重点考虑表面氧空位。

至于判断O是施主，很武断。另外施主导致费米能级上升也是值得商榷的事情。

大家多多讨论交流。  zha_gq@hotmail.com
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10楼2009-10-16 10:33:43
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