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【求助】氧空位缺陷降低了功函数如何做出定性的解释
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最近一个试验现象，发现氧空位缺陷降低了功函数，能否请教大家如何做出定性的解释。谢谢 [ Last edited by ddx-k on 2009-10-12 at 20:58 ] |
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2楼2009-10-06 17:25:15
djt
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3楼2009-10-06 17:54:16
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5楼2009-10-07 10:07:10
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bosezi(金币+1):谢谢参与
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tongling921(金币+1):3x 2010-02-19 22:13
bosezi(金币+1):谢谢参与
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我给你说一个简单的解释。 功函数的定义是W=E0-Ef，其中，E0是真空能级，Ef是费米能级。如果W降低，很显然是Ef增大了，或者说，升高了。 对于体系存在O原子，O原子（或O离子）在固体中形成的是离子键（当然也可能会有共价成分），但不管怎么说，都是把电子（包括O本身的电子和其他电负性比较低的原子电子）定域在O离子周围。当出现O空位，其所束缚的其他原子电子就被释放出来了。这个相当于在体系中掺入了N型施主杂志来释放电子。而体系电子多了，费米能级就会相应的上升，也就是升高了。换句话说，W减少了。 以上是体相的情况。如果是表面，可能还有费米针扎效应等等，而且理论上的说法并不统一。表面问题很复杂，就不多说了。  |
6楼2009-10-07 10:48:22
7楼2009-10-07 16:44:33
yjyang07
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bosezi(金币+1):谢谢参与
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各位关于功函数的理解，感觉还有些问题。 功函数主要是表面特性。取决于表面真空能级与费米能级的差。费米能级的变化是一方面，更重要的表面真空能级的变化。也就是表面偶极层的变化导致了功函数的变化。所以应重点考虑表面氧空位。 至于判断O是施主，很武断。另外施主导致费米能级上升也是值得商榷的事情。 大家多多讨论交流。 zha_gq@hotmail.com |
10楼2009-10-16 10:33:43
